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29. 當交流電壓源接上變壓器的初級繞線後，什麼原因造成次級繞線產生電壓？(A) 電容耦合(B) 位移電流耦合(C) 互感(D) 互容
問題詳情
29. 當交流電壓源接上變壓器的初級繞線後，什麼原因造成次級繞線產生電壓？
(A) 電容耦合
(B) 位移電流耦合
(C) 互感
(D) 互容
參考答案
上一篇 :
27. 接到發射機輸出的瓦特表顯示平均功率為 1,060 瓦特，則未調變載波的峰值波封功率(PEP)為何？(A) 530 瓦特(B) 1,060 瓦特(C) 1,500 瓦特(D) 2,120 瓦特
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30. 將 4：1 降壓變壓器的初級與次級繞線反接會發生什麼？(A) 次級繞線的電壓變成初級繞線的4倍(B) 因為是單向性裝置，變壓器將無法工作(C) 須在初級繞線加上串聯電阻以防過載(D) 須在次級
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32. 將三個 100 歐姆電阻器並聯後的總電阻為何？(A) 0.30 歐姆(B) 0.33 歐姆(C) 33 歐姆(D) 300 歐姆
31. 現有的電阻器加上什麼元件可以增加電阻？(A) 並聯電阻器(B) 串聯電阻器(C) 串聯電容器(D) 並聯電容器
33. 三個相同的電阻器串聯，其總電阻為 450 歐姆，則每個電阻是多少？(A) 1,500 歐姆(B) 90 歐姆(C) 150 歐姆(D) 175 歐姆
11.如【圖 11】所示，其戴維寧等效電路 Rth、Vth 分別為何？(A) 40kΩ、1.5V(B) 40kΩ、13.5V(C) 36kΩ、1.5V(D) 36kΩ、13.5V
35. 音訊放大器的輸出阻抗 600 歐姆，要接上 4 歐姆阻抗的揚聲器，則其匹配變壓器的繞線圈數比為何？(A) 12.2比1(B) 24.4比1(C) 150比1(D) 300比1
34. 將變壓器 2,250 圈的初級繞線接上交流 120 伏特，則其 500 圈次級繞線的均方根(RMS)電壓為何？(A) 2,370 伏特(B) 540 伏特(C) 26.7 伏特(D) 5.9
36. 將二個 5.0nF(奈法拉)與一個 750pF(皮法拉)電容器並聯，則其等效電容為何？(A) 576.9 nF(奈法拉)(B) 1,733 pF(皮法拉)(C) 3,583 pF(皮法拉)(D
38. 將三個 10mH(毫亨利)電感器並聯的等效電感為何？(A) 0.30 H(亨利)(B) 3.3 H(亨利)(C) 3.3 mH(毫亨利)(D) 30 mH(毫亨利)
37. 將三個 100μF(微法拉)電容器串聯的等效電容為何？(A) 0.30 μ F(微法拉)(B) 0.33 μ F(微法拉)(C) 33.3 μ F(微法拉)(D) 300 μ F(微法拉)
39. 將一個 20mH(毫亨利)串聯一個 50mH 電感器，則其等效電感為何？(A) 0.07 mH(毫亨利)(B) 14.3 mH(毫亨利)(C) 70 mH(毫亨利)(D) 1000 mH(毫亨
40. 將一個 20μF(微法拉)串聯一個 50μF(微法拉)電容器，則其等效電容為何？(A) 0.07 μ F(微法拉)(B) 14.3 μ F(微法拉)(C) 70 μ F(微法拉)(D) 100
53. 在邏輯電路用做開關的雙極(Bipolar)電晶體的工作點為何？(A) 飽和區與截止區(B) 動作區(介於截止區與飽和區之間)(C) 電流的峰點與谷點(D) 增強與匱乏模式
41. 電容器加上什麼元件可以增加電容值？(A) 串聯一個電感器(B) 串聯一個電阻器(C) 並聯一個電容器(D) 串聯一個電容器
52. 在射頻開關電路中使用蕭特基(Schottky)二極體，與標準矽二極體比有何優點？(A) 電容低(B) 電感低(C) 開關時間較長(D) 潰崩電壓較高
42. 電感器加上什麼元件可以增加電感值？(A) 串聯一個電容器(B) 並聯一個電阻器(C) 並聯一個電感器(D) 串聯一個電感器
43. 並聯一個 10 歐姆、一個 20 歐姆、一個 50 歐姆電阻器，則其總電阻為何？(A) 5.9 歐姆(B) 0.17 歐姆(C) 1,000 歐姆(D) 80 歐姆
54. 有些高功率電晶體的外殼為何須與接地點絕緣？(A) 增加電晶體的貝他(beta)值(B) 改善散熱容量(C) 減少雜散電容(D) 避免集極或汲極與接地點短路
45. 一個 22,000pF(皮法拉)電容器的電容等於多少 nF(奈法拉)？(A) 0.22 nF(奈法拉)(B) 2.2 nF(奈法拉)(C) 22 nF(奈法拉)(D) 2200 nF(奈法拉)
44. 為什麼昇壓變壓器的初級繞線線徑比次級繞線線徑還要粗？(A) 增加初級與次級繞線的耦合(B) 容納初級繞線較大的電流(C) 防止初級繞線電阻性損失所造成的寄生振盪(D) 確保初級與次級繞線的體積
46. 一個 4,700 nF(奈法拉)電容器的電容等於多少 μF(微法拉)？(A)47 μ F(微法拉)(B) 0.47 μ F(微法拉)(C) 4700 μ F(微法拉)(D) 4.7 μ F(微
55. 如何描述金氧場效電晶體(MOSFET)的結構？(A) 閘極由反向偏壓接面形成(B) 閘極與通道由薄絕緣層隔開(C) 源極與汲極由薄絕緣層隔開(D) 源極由金屬沈積於矽晶上形成
56. 三極真空管的陰極與屏極之間的電子流由什麼元件控制？(A) 控制柵(B) 加熱器(C) 屏柵(D) 觸發電極
57. 以下哪種固態元件的一般操作特性最像真空管？(A) 雙極(bipolar)電晶體(B) 場效電晶體(C) 隧道二極體(D) 變阻體
47. 標準 12 伏特鉛酸電池要有最長壽命，其最低放電電壓為何？(A) 6 伏特(B) 8.5 伏特(C) 10.5 伏特(D) 12 伏特
48. 鎳鎘(Ni-Cd)電池的低內電阻有何優點？(A) 壽命長(B) 放電電流高(C) 電壓高(D) 充電快速