【牛吉財(阿牛老酥)】評論
擴散電容對於正偏PN街面，當外加偏壓增大時，注入N區的空穴增加，在N區的空穴擴散區內形成空穴積累，為保持電中性條件，擴散區內電子濃度也相應增加。電子注入P區情形類似，這種擴散區中電荷隨外加偏壓變化而變化所產生的電荷存儲效應等效為電容，稱擴散電容。為了形成正向電流（擴散電流），注入P 區的電子在P 區有濃度差，越靠近PN接面濃度越大，即在P 區有電子的積累。同理，在N區有空穴的積累。反向偏置時，由於少數載流子數目很少，可忽略擴散電容。https://www.easyatm.com.tw/wiki/%E6%93%B4%E6%95%A3%E9%9B%BB%E5%AE%B9