資訊推薦

• 30. 積體電路的特徵是 (A)重量重 (B)體積大 (C)價格高昂 (D)價格降低
• 31. 超大型積體電路簡稱為 (A) TRIAC (B) VLSI (C) SCR (D) FET
• 32. LSI是指在一個晶片上的邏輯數目至少有 (A) 50個 (B) 100個 (C) 600個 (D) 700個
• 33. 若正弦波電壓信號 v t( ) 0.1sin(1000 )V = πt ，則下列敘述何者正確？ (A)有效值為0.1V (B)平均值為0.05V (C)頻率為500Hz (D)時間t＝0.01
• 8.Which of the following compounds is chiral? (A)(B)(C)(D)(E)
• 34. 電壓v(t)＝，則其有效值與平均值之比值()約為何？ (A) 1.67 (B) 1.34 (C) 1.41 (D) 1.11
• 35. 整流電路主要是用來 (A)讓交流電壓降壓 (B)使波形更為平坦更接近直流 (C)將交流變成脈動直流 (D)穩定輸出供給負載
• 36. 直流供應器電路裡，為了使交流變成直流，要依序經過哪些過程？ (A)變壓、濾波、整流、穩壓 (B)變壓、整流、濾波、穩壓 (C)整流、變壓、濾波、穩壓 (D)穩壓、整流、濾波、變壓
• 37. 電壓調整率指的是 (A)負載電壓與電源電壓的比值 (B)電源內阻電壓與負載電壓的比值 (C)電源電壓與負載電壓的比值 (D)電源內阻電壓與電源電壓的比值
• 38. 二極體不具備下列何種特性？ (A)濾波 (B)整流 (C)檢波 (D)放大
• 39. 如圖【8】所示之理想稽納(Zener)二極體電路，若 Vs = 18V ，則該電路之稽納二極體功率規格至少應為何？ (A) 225mW (B) 180mW (C) 170mW (D) 130M
• 40. 電晶體各接腳區的摻雜濃度之關係為 (A) E＞B＞C (B) B＞E＞C (C) C＞E＞B (D) E＞C＞B
• 41. 某電路能允許信號中的高頻成份通過，抑制低頻或直流成份，則此電路為何種濾波器？ (A)低通濾波器 (B)高通濾波器 (C)帶阻濾波器 (D)帶通濾波器
• 9.As viewed from the angle indicated, draw the Newman projection of the conformer of the following c
• 42. 試問下圖【9】為何種電子元件？(A) NPN電晶體 (B) PNP電晶體 (C) MOSFET (D) P-N二極體
• 43. 在製作電晶體時，單一顆電晶體無法代替下列何種元件？ (A)電阻 (B)二極體 (C)電容 (D)電感
• 44. NPN型BJT工作於飽和區時，下列敘述何者正確？ (A)集極電流與基極電流成正比 (B)適合作為訊號放大 (C)相同集極電流下，BJT消耗功率比工作於主動區小 (D)基-射極與基-集極間均為逆
• 45. 電晶體交換電路的速率，主要是由什麼極所儲藏的少數載子放電速率來決定？ (A)基極 (B)射極 (C)集極 (D)集極和射極
• 46. 有一電晶體放大電路，其電壓增益、電流增益、功率增益皆高，且輸出電壓與輸入電壓 相差180°。請問是屬下列何種放大電路組態？ (A)共射極放大器 (B)共集極放大器 (C)射極隨耦器 (D)共基
• 47. 有射極隨耦器之稱的電晶體組態是 (A)共基極電路 (B)共射極電路 (C)共集極電路 (D)共汲極電路
• 48. 關於共基極的參數描述，下列何者正確？ (A) Zo很小 (B) Zi很大 (C) Av ≈ 1 (D) Ai ≈ 1
• 49. 增強型n通道MOSFET若工作在主動區則 (A)閘汲極正電壓，閘源極正電壓 (B)閘汲極正電壓，閘源極負電壓 (C)閘汲極負電壓，閘源極正電壓 (D)閘汲極負電壓，閘源極負電壓
• 50. 如圖【10】所示為555之無穩態多諧振盪電路， 試問充電路徑包含哪幾個元件？ (A) R2及C (B) C (C) R1及R2 (D) R1及R2及C
• 10.For the following reaction sequence, which molecule is expected as the major product? (A)(B)(C)(
• 11.Examine the transforration shown below and then indicate which of the following statements is cor