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8. BJT電晶體放大電路中，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗，適合作為阻抗匹配用的是哪一種？(A)共射極 (B)共集極 (C)共基極 (D)共陽極。
問題詳情
8. BJT電晶體放大電路中，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗，適合作為阻抗匹配用的是哪一種？
(A)共射極
(B)共集極
(C)共基極
(D)共陽極。
參考答案
答案：B
難度：
計算中
-1
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7. 在一個半導體材料中，空穴的電子運動是什麼？(A)從N型材料向P型材料移動 (B)從P型材料向N型材料移動 (C)在P型材料內移動(D)在N型材料內移動。
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9. 以MOSFET組成邏輯閘之特性，以下敘述何者錯誤？(A)以MOSFET取代BJT組成邏輯閘，可提高IC填裝之密度 (B)以MOSFET組成邏輯閘較BJT組成的速度慢 (C)以MOSFET組成邏輯
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10. 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)的特性及應用，以下哪點敘述是錯的？(A)為電壓控制元件 (B)作為放大電路時，通常工作於三極體區 (C)n通道MOSFET的導電載子為電子 (D)適用於超大
11. 下列哪個是可變多工器？(A)2：1多工器 (B)4：1多工器 (C)8：1多工器 (D)16：1多工器。
12. 有一個三輸入 AND 閘，每個輸入都可以是高電位(1)或低電位(0)。你需要使用這個AND 閘來實現一個三輸入 OR 閘，每個輸入也都可以是高電位或低電位。請問以下哪個是正確的實現方式？(A)
13. 假設你需要設計一個基礎電路，該電路可以控制一個 LED 燈的開關。請問以下哪個選項是正確的電路設計？(A)使用一個並聯的電阻和一個 NPN 型電晶體 (B)使用一個並聯的電阻和一個 PNP型電
14. 假設你需要設計一個邏輯電路，該電路可以檢查輸入的兩個四位元二進位數字是否相等。請問以下哪個選項是正確的電路設計？(A)使用兩個四輸入 AND 閘和一個四輸入 XOR 閘 (B)使用一個四輸入
15. 假設你需要設計一個基礎電路，該電路可以控制一個電動馬達的轉動方向。請問以下哪個選項是正確的電路設計？(A)使用一個單極性電容和一個三極型電晶體 (B)使用一個雙極性電容和一個三極型電晶體 (C
16. 下列哪種觸發器可以用來實現一個 2 位移位暫存器？(A)D 觸發器 (B)JK 觸發器 (C)T 觸發器 (D)SR 觸發器。
17. 數字編碼方式中加三碼有以下哪種特性？(A)又稱為 8421 碼 (B)具有反射性 (C)每一組數碼至少都包含一個 1 (D)加三碼是加權碼。
18. 非同步計數器的缺點，以下哪個正確？(A)使用正反器的數量要比同步計數器多 (B)適合使用高頻率的時脈 (C)電路結構簡單 (D)傳遞延遲時間長。
19. 廣播系統中，FM頻率較AM高，則下列敘述何者正確？(A)FM波長較短 (B)AM波長較短 (C)FM週期較長 (D)AM週期較短。
20. 數位邏輯電路，欲做為記憶元件的裝置，須具備幾種穩定狀態？(A)不需要 (B)1 種 (C)2 種 (D)不一定。
21. 如右圖中100Ω 電阻器上之功率為多少？ (A)20W (B)16W (C)12W (D)10W。
3. 下列是四幅臺灣某縣級行政區域簡圖，從圖幅判斷，下列何者的比例尺標示正確？(A) (B) (C) (D)
19.如果元旦到蘭嶼迎接新年的第一道曙光，看著太陽從海面躍起，會比較接近下列哪一選項？(A) (B) (C) (D) 。
32. 下列電路圖中，其 I1 網目之電流方程式應為何？ (A) 7I1 – 4I2 – 3I3 = 22(B) 7I1 – 4I2 – 3I3 = 18(C) 7I1 – 4I2 – 3I3 = -
22. 假設某發電機之線圈，以直徑為2.5mm之銅線繞製，共長1250m，若銅之電阻係數為1/58(Ω-mm2/m)，則該銅線繞組之阻抗為多少？(A)8.62Ω (B)4.38Ω (C)10.98Ω
23. 有一電力 12V，50Ah 的電瓶，若以額定值 12V，6W 的電燈泡，在理想的情形下，最長可點亮多少時間？(A)25hr (B)50hr (C)75hr (D)100hr。
24. 如右圖，已知當電池電動勢 E 為 10V，R 為 2Ω，L為 20μH 時，電路之電流達到穩定值時，線圈所儲存的能量為2.5 × 10−4(J)，試問當電池電動勢E提高為 20V 時，線圈所儲
38. 某一元素電子組態為[Kr] 4d105s25p2，則此元素為：(A) 非金屬元素 (B) 金屬元素 (C) 過渡金屬元素 (D) 鑭系元素
39. 某一化合物分子式為 C8H10O；其氫核磁共振光譜訊號為(δ2.80, triplet)；(δ3.65, triplet)；(δ7.20, multiplet)。此化合物結構可能為何？(A)
33. 下列電路圖中，已知圖中電流 I = 5A，試求電壓源 VS 為多少？ (A) 25 V(B) 50 V(C) 75 V(D) 100 V
25. 某電容器 C，兩端電壓 V，儲存有 12 焦耳能量，此時若將電容平行金屬板面積增加 1倍，間距減少 1/2，兩端電壓增為 2 倍 V，則儲存的電能變為？(A)168 焦耳 (B)176 焦耳
26. 已知一個 5 伏特的電池，可提供 2.5✖10－3 焦耳的能量。若以一個電容器取代此電池以提供同樣的電壓和能量，則電容值應為？(A)100μF (B)200μF (C)400μF (D)400
27. 有 220 伏特，60 赫芝之單相感應電動機，功率因數為 0.6 落後的 1500kVA，如果有效功率不變，試求使功率因數提高至 0.8 落後所需並聯之電容器虛功量（kVar）為？(A)225
28. 某電晶體工作在 IB=20μA，IC=5mA，VCE=10V 時，此電晶體的 α 值應為？(A)0.982 (B)0.996 (C)0.999 (D)0.98。