問題詳情

21.將P 型半導體及N 型半導體結合時，即會產生一空乏層，則P 型半導體部份之空乏層內應具有下列何者？
(A)電洞
(B)電子
(C)正離子
(D)負離子

參考答案

答案：D
難度：困難0.333333
統計：A(9),B(7),C(6),D(12),E(0)