八、在積體電路製造技術中，採用的絕緣技術有局部氧化（Local Oxidation of Silicon,LOCOS）和淺溝槽絕緣（Shallow Trench Isolation, STI），請分別

問題詳情

八、在積體電路製造技術中，採用的絕緣技術有局部氧化（Local Oxidation of Silicon,LOCOS）和淺溝槽絕緣（Shallow Trench Isolation, STI），請分別說明局部氧化與淺溝槽絕緣的製作技術、缺點與應用在那一種線寬製程？（20 分）

答案：B
難度：適中0.6736
統計：A(0),B(421),C(41),D(163),E(0)