問題詳情

 5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 vI 的波形如下所示，VDD = 5 V，假設兩個電晶體 QP、QN的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為| Vth | = 0.5 V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即

。試研判下列波形何者最接近輸出電壓 vO的波形？


(A)


(B)


(C)


(D)

參考答案

答案：A
難度：非常簡單1
統計：A(1),B(0),C(0),D(0),E(0)