問題詳情

14.有一 p 型通道之金氧半場效電晶體，其臨界電壓為–0.3V，而源極電壓與基體（body）電壓均為 5V，閘極電壓為 3V，請問下列何者汲極電壓可使電晶體操作在飽和區（saturation）？
(A) 3V
(B) 3.5V
(C) 4V
(D) 4.5V

參考答案

答案：A
難度：計算中-1
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