問題詳情

27 有關矽空乏型 MOSFET 之敘述,下列何者錯誤?
(A) n 通道的空乏型 MOSFET 是使用 p 型基座(substrate)
(B) n 通道的空乏型 MOSFET 需另加正值 VGS,才能感應出通道
(C)其通道電流 ID 會隨二氧化矽(SiO2)的厚度減少而增加
(D) n 通道的空乏型 MOSFET 之 VGS 的臨界電壓(threshold voltage)Vth 為負值

參考答案

答案:B
難度:計算中-1
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