問題詳情

13.關於半導體偵檢器的特性,下列敘述何者錯誤?
(A)必須配合使用光電倍增管,以放大訊號
(B)操作時必須使用液態氮冷卻,方能增加偵測正確性
(C)Ge(Li)比Si(Li)有較高偵測效率
(D)產生一離子對所需的能量比游離腔為小

參考答案

答案:A
難度:適中0.561151
統計:A(78),B(32),C(5),D(4),E(0)

用户評論

【用戶】魔人JOJO

【年級】高三下

【評論內容】(A)錯 閃爍偵檢器才要