問題詳情

6. 有關半導體製程之敘述，下列何者正確？
(A) 乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
(B) 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
(C) 微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成
(D) 矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體

參考答案

答案：B
難度：簡單0.68
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