問題詳情

5. N 型矽或鍺半導體
(A)為絕緣體
(B)含有多量電洞
(C)是不良的導電體
(D)含有多量的電子。

參考答案

答案:D
難度:簡單0.777778
統計:A(0),B(5),C(1),D(21),E(0)