問題詳情
53 增強型金氧半場效型電晶體（MOSFET）偏壓電路如【圖 53】，已知電晶體的參數K=0.5 2mA /V2 ，臨界電壓（threshold viltage）Vt=2V、VDS=4V，則此 RD 為：
(A)1kΩ
(B)2kΩ
(C)3kΩ
(D)4kΩ
53 增強型金氧半場效型電晶體（MOSFET）偏壓電路如【圖 53】，已知電晶體的參數K=0.5 2mA /V2 ，臨界電壓（threshold viltage）Vt=2V、VDS=4V，則此 RD 為：
(A)1kΩ
(B)2kΩ
(C)3kΩ
(D)4kΩ