60 增強型金氧半場效型電晶體(MOSFET)的放大電路如【圖 60】所示,若 MOSFET 的參數K=0.2 2mA /V2 ,臨界電壓(threshold voltage)Vt=2V,忽略 Ci、Co 的電容效應,則此電路的小信號電壓增益 vo/vi為:(A)-2.8 (B)-3.8 (C)-4.8 (D)-5.8