問題詳情

33. 下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確？
(A)乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
(B)蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
(C)矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體
(D)微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成

參考答案

答案：B
難度：計算中-1
書單：沒有書單，新增

用户評論

【用戶】默默

【年級】大二上

【評論內容】濕式容易過切矽是絕緣體.....看完整詳...