問題詳情

1 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者？


(A)N-channel MOSFET（N 通道金氧半場效電晶體）
(B)P-channel MOSFET（P 通道金氧半場效電晶體）
(C) CMOSFET（互補式金氧半場效電晶體）
(D) FIN FET（鰭式場效電晶體）

參考答案

答案：A
難度：適中0.634921
統計：A(40),B(11),C(4),D(0),E(0)

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N MOSFET N通道 P基體