問題詳情

39 當MOSFET工作於飽和區（saturation region）時，其ID與VGS的關係為何？（下式中Vt為MOSFET之臨限電壓（threshold voltage）） 
(A)ID與VGS幾乎無關 
(B)ID正比於VGS 
(C)ID正比於（VGS-Vt） 
(D)ID正比於（VGS-Vt）2

參考答案

答案：D
難度：簡單0.829268
統計：A(1),B(3),C(0),D(34),E(0)