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• 44.下列何項政策的施行，其主要目的是為了「增進公共利益」，而限制個人的基本權利？ (A)颱風來襲，強制山區村落的居民遷離 (B)政府為了興建學校，決定依法徵收人民土地 (C)禁止人民以不雅言語公然侮
• 45.爺爺從小與國中生阿福相依為命，後來爺爺心臟病發作過世，社會局啟動「急難救助、馬上關懷」，幫忙安置阿福並補助殮葬費用。上述案例說明《憲法》保障人民的哪項受益權？(A)經濟上 (B)司法上 (C)教
• 46.浩克參加政府舉辦的特考及格，分發到戶政事務所上班，擔任公職為人民服務。這是受到哪項基本權利的保障？ (A)平等權 (B)自由權 (C)受益權 (D)參政權。
• 47.下列何者既是受益權又是社會權?【甲】環境權【乙】生存權【丙】健康醫療權【丁】工作權【戊】受國民教育權 (A) 甲乙丙 (B)乙丙丁 (C)乙丁戊 (D) 丙丁戊。
• 48.有關「請願」與「訴願」何者錯誤？  (A)(B)(C)(D)
• 49.大發財公司，強制員工簽定「單身條款」，規定女性員工若結婚後就必須無條件辭職。這種做法違反《憲法》所賦予人民的哪些基本權利？(A)參政權、自由權 (B)自由權、受益權 (C)平等權、參政權 (D)
• 50. 有關我國憲法，下列敘述何者錯誤?(A)請願、訴願屬於司法上的受益權 (B)規範政府組織與職權(C)人民未盡到憲法規定之義務須負法律責任 (D)應考試、服公職屬於參政權。
• 1. 下列哪一個是最簡根式？ (A) (B) (C) (D) (2-2, P75)
• 1. 機械製圖圖面上尺寸標註的單位為 (A)公尺 (B)公寸 (C)公分 (D)公厘 。
• 32.某 pn 接面二極體在溫度 300 K、逆向偏壓(revers-bias)電壓為 1 V 時的電流為 A，則在同樣溫度下、逆向偏壓電壓為 0.5 V 時的電流為何？(A) (B) (C)
• 33.某一齊納二極體(Zener diode)流過 5 mA 時的跨壓為 3.65 V，若流過 10 mA 時的跨壓為 3.70 V，則其等效串聯電阻(equivalent series resist
• 34.假設交流電源 ，則經半波整流後的平均輸出電壓為何？(A) (B) 110 V (C) (D)
• 35.如【圖 35】所示之二極體截波器(clipper)，若 vi = 10 sin (2π×60t) V 且 = 8 V，則 vo的最大值為何？ (A) 0 V(B) 2 V(C) 10 V(D)
• 36.根據穩壓率的定義： ，若 ，請問下列 的值符合 5%的穩壓率要求者為何？(A) 5.0 V (B) 5.1 V (C) 5.2 V (D) 5.3 V
• 38.某 BJT 的 BE 接面為逆向偏壓、BC 接面為順向偏壓，則該 BJT 的操作模式為：(A)順向作用區(forward active region) (B)截止區(cutoff region)
• 39.某 BJT 的共射極電流增益(common-emitter current gain) β = 99，則其共基極電流增益(common-base current gain) α為何？(A) 0.
• 41.如【圖 41】所示 BJT 電路，使 約為 2 V 之 值為何？ (A) 1.2 kΩ (B) 1.4 kΩ (C) 1.6 kΩ (D) 1.8 kΩ
• 42.如【圖 42】所示以分壓器偏壓之 BJT 共射極(common-emitter, CE)放大器，則下列敘述何者錯誤？ (A)計算直流偏壓條件時，C1與 C2可視為開路(B)集極到基極間電壓約等於
• 43.有關 BJT 的共極集(common-collector, CC)放大器，下列敘述何者錯誤？(A)輸入電阻小、輸出電阻大(B)又稱為射極隨耦器(emitter follower)(C)適合作為緩
• 44.如【圖 44】所示以 CC 放大器為主的達林頓對(Darlington pair)放大器，則等效的共射極電流增益β為何？ (A) 50(B) 150(C) 5000(D) 2
• 45.有關接面場效電晶體(junction field effect transistors, JFET)結構的敘述，下列何者錯誤？(A)只含一個 pn 接面，是一種單極性元件(unipolar de
• 46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) 為−5 V，當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、且 為一固定值−1 V 時，
• 47.如【圖 47】所示的 JFET 電路， = 12 mA 且 = −3 V，請問下列 值何者可以使該 JFET 操作於夾止區？ (A) 0.9 kΩ (B) 1.1 kΩ (C) 1.3 kΩ (
• 48.有關金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistors, MOSFET)的敘述，下列何者錯誤？(A)閘極與半導體通道
• 49.一空乏型 NMOSFET 的 = 9 mA、 = −3 V，當 = 1 V、 = 4 V 時， 值為何？(A) 1 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA