問題詳情

6 下列何者對於快閃記憶體(flash memory)的敘述錯誤?
(A) NOR Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫
(B) NOR Flash 通常用來儲存程式碼
(C) NAND Flash 有較高的位元密度
(D) NAND Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫

參考答案

答案:D
難度:困難0.4
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用户評論

william】評論

OR和NAND是現在市場上兩種主要的非易...

zu Hsu】評論

NOR FlashIntel於1988年發表支援隨機存取,讀資料的方式跟RAM接近,給address,data就能讀出NOR的特點是原地執行(XIP, eXecute In Place),這樣應用程序可以直接在flash memory內運行,不必再把資料讀到系統RAM中每次寫入/擦除都是以1 block為單位;1 block = 16~128 KBytes小容量(1~4MB)時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能NOR flash佔據了容量為1~16MB閃存市場的大部分,因隨機存取快,應用在手機中NOR的擦寫週期壽命是一萬~十萬次適合用於儲存不需經常更新的程式,例如BIOS或韌體NAND FlashToshiba於1989年發表適用於大容量,更低的寫入和擦除時間,高密度(單元尺寸是NOR Flash的一半),高壽命(10倍左右),低製...