資訊推薦

• 13 對一般雙極性電晶體而言，如果 β 值要大，電晶體的選擇是：(A)NPN 電晶體，基極寬度要大 (B)NPN 電晶體，基極寬度要小 (C)PNP 電晶體，基極寬度要大 (D)NPN 電晶體，基極寬
• 一、何謂「消極自由」（negative freedom）？何謂「積極自由」（positive freedom）？試舉例說明之。（25 分）
• 【題組】 ⑵請計算出 X 之期望值 E(X)。（5 分）
• 【題組】 ⑷在政府課徵消費稅下，無謂損失是否存在？若有請在圖上標示。（5 分）
• 14 增強型 MOSFET 的導通通道如何形成？(A)基板（Substrate）表面的多數載體因電場作用形成 (B)基板表面的少數載體因電場作用形成 (C)以擴散技術在基板表面形成 (D)以離子植入在
• 一、日譯中：請將以下日文譯成中文（15 分）会社と働く人間との関係は、イギリス人と日本人とでは、本質に異なると考えられる。ロンドンの会社で管理の仕事を担当していた日本人の I 氏は、二十歳で未婚のK
• 二、假設 M X (t ) 表示隨機變數 X 之動差母函數（moment generating function），而且 M X (t ) =。請計算出：【題組】⑴ Pr(625 < X <
• 【題組】 ⑸在政府課徵消費稅下，請問消費者還是生產者遭受的損失較大？原因為何？（10 分）
• 三、請僅以 4 個互斥-OR 邏輯閘（XOR）與 4 個全加器（Full adder）設計一 4 位元加減法器電路，其中控制線 S 為 0 時電路執行加法；控制線 S 為 1 時電路執行減法。（15
• 15 所謂的本質（Intrinsic）半導體是指：(A)只有受體（Acceptors）加入 (B)除晶體原子外，沒有摻雜其他雜質 (C)只有施體（Donors）加入 (D)導電率接近導體的晶體材料
• 16 如圖所示，不可能表達何種元件？   (A)光遮斷器 (B)光電晶體 (C)光耦合器 (D)光伏特電池（Photovoltaic Cell）
• 三、在國內生產毛額（GDP）的需求面包括：民間消費（C），投資（I），政府支出（G），出口（X），並減掉進口（M），因此 GDP 需求面的定義式為：GDP＝C+I+G+X-M，請由上式，回答以下問題：
• 【題組】 ⑷離均差（deviation）
• 【題組】 ⑵消費互斥性（Rivalry in consumption）
• 四、如圖 A、B 兩點之坐標已知，觀測∠CAB（= a），∠ABC（= b）。【題組】 ⑴試證。（10 分
• 【題組】 ⑵請計算 CV（cost variance）, SV（schedule variance）, CPI（cost performance index）,SPI（schedule perform
• 【題組】 ⑵國外淨需求包括那幾項？（5 分）
• 【題組】 ⑸最小平方法（least square method）
• 【題組】 ⑶獨占性競爭（Monopolistic competition）
• 二、解釋名詞：（每小題 4 分，共 20 分）【題組】⑴積差相關（product-moment correlation）
• 【題組】 ⑶儲蓄（S）如何表達？（5 分）
• 三、影響測驗工具的信度係數大小的因素有那些？試說明之。（30 分）
• 【題組】 ⑵標準化常態分配（standardized normal distribution）
• 四、某研究人員在研究計畫中，擬進行「父母對子女的教育期望」對「子女的學業成就」之影響的實驗研究。他擬使用真實驗設計方法（true experimental design method）作為其研究架構，
• 【題組】 ⑵那一個變項扮演依變項（dependent variable）的角色？（4 分）