資訊推薦

• 8 矩陣 M∈R n×n， x∈Rn為任一向量，下列何者情形時， xTMx ≥0不一定恆成立。(A)當 M=A+AT (B)當 M=A-AT (C)當 M=AAT (D)當 M=ATA
• 64.以直昇機轉送新生兒病患時，轉送前的PaO2是 75 mm Hg，當其在天上飛行時，PaO2將有何變化？(A)先降低，然後回到正常(B)增加(C)降低(D)先升高，然後回到正常
• 55.下列何者可代表呼吸肌耐力（endurance）？(A)口腔最大吐氣壓（maximal expiratory pressure）(B)口腔最大吸氣壓（maximal inspiratory pre
• 66.下圖為 IVC 的超音波影像，此受檢者最可能的影像診斷結果為何？ (A)right cardiac insufficiency(B)SVC syndrome(C)normal cardiac f
• 70.病人使用高頻率振盪通氣（high frequency oscillatory ventilation）時，當 FiO2 < 0.7 其動脈血液氣體分析值 PaO2 = 100 mm Hg、
• 47.下列何種通氣模式為病人啟動、壓力目標、流量週期且同時又以潮氣容積為目標？(A)PSV(B)PRVC(C)VAPS(D)VS
• 65.根據高頻震盪呼吸器（HFOV）的氣體傳送尖峰（spike）理論，呼吸器送氣進入肺部的方式為何？(A)經氣道的中心進氣(B)經氣道的邊緣進氣(C)藉由淋巴系統來滲透(D)肺泡間的運送
• 56.病人使用壓力控制型通氣時，發生潮氣容積不正常增加的處理方法，何者錯誤？(A)減少吸氣時間(B)減少設定壓力(C)減少吐氣時間(D)檢查呼吸次數
• 14 設 則 A 的簡化列梯形式（reduced row echelon form）為何？
• 71.嚴重胎兒持續性肺高壓（PPHN）的嬰兒當尖峰吸氣壓超過多少 cm H2O 時，建議使用高頻率振盪（high frequency oscillatory ventilation）通氣？(A)25(
• 48.脫離呼吸器的過程中，下列何者不是造成呼吸肌疲乏（fatigue）的可能原因？(A)增加呼吸負荷量（respiratory load）(B)減少呼吸商（respiratory quotient）(
• 66.下列有關 Dräger Babylog 8000 呼吸器 A/C 和 SIMV 模式特性的敘述，何者錯誤？(A)volume-targeted(B)time-cycled(C)time-trig
• 57.下列有關陽壓通氣對心血管系統影響的敘述，何者錯誤？(A)併用副交感神經阻斷劑會使血壓下降(B)進行脊椎麻醉或全身麻醉會使血壓下降(C)發生多發性神經炎時會使血壓下降(D)應持續監測病人血壓
• 77.病人使用壓力控制型通氣模式，吸氣時間 1.0 秒，其生理參數如下，可能發生的原因為何？【題組】77(A)肺順應性增加(B)肺順應性下降(C)氣道阻力增加(D)自發性吐氣末陽壓增加
• 72.有關長期使用非侵襲性呼吸器於胸廓畸形併發慢性呼吸衰竭病患效果的敘述，下列何者正確？(A)可能有反效果，因此完全不應該讓病人使用(B)並不理想，但仍可給病人試用(C)相當不錯，應儘量讓病人使用(D
• 【題組】⑵日內瓦機構（Geneva mechanism）
• 58.下列有關氣管內插管併發症之敘述，何者正確？①不可能傷及嘴唇或牙齒 ②可能傷及舌咽部，導致破裂 ③可能傷及聲帶(A)僅①②(B)僅①③(C)僅②③(D)①②③
• 14 將 F(x) = x2, 0 < x < 2π ，展開為傅立葉級數，當週期為2π 時， ，則 bn =？
• 73.使用非侵襲性陽壓呼吸器發生自發啟動（auto-triggering）最常見的原因為何？(A)啟動閾值（triggering threshold）設定太低(B)管路或介面漏氣太多(C)管路積水(D
• 【題組】⑶畸變能理論（distortion energy theory）
• 51. What is the final major product of the following transformations?
• 74.下列有關非侵襲性陽壓呼吸器介面選擇的敘述，何者錯誤？(A)介面的選擇應優先考慮病人的舒適度(B)慢性呼吸衰竭病人於居家使用時，應優先考慮面罩(C)急性呼吸衰竭病人使用時，應優先選擇面罩(D)應選
• 71.準直儀中，吸收散射光子或偏斜方向行進的光子的構造是：(A)孔（hole）(B)隔（septa）(C)套（cap）(D)盒（box）
• 4.請問下列哪一個選項是方程式36－x ÷ 7＝6的解法？(A) x＝6 × 7＋36(B) x＝（36－6） × 7(C) x＝（36＋6） × 7(D) x＝6×（36－7）
• 23如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區，λ= 0，ID = 1 mA，CGS = 50 fF，CGD = 10 fF，CDB = 50 fF，採用米勒（Miller）趨近法，求位於 G