問題詳情

28. N 型矽或鍺半導體
(A)為絕緣體
(B)含有多量電洞
(C)是不良的導電體
(D)含有多量的電子。

參考答案

答案：D
難度：適中0.5
統計：A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)