70.有關 MOSFET 特性的溫度效應,下列敘述何者正確?(A)溫度上升時,汲極電流下降(B)溫度上升時,導通參數(conduction parameter) k 上升(C)溫度上升時,臨限電壓 V
72.一操作於飽和區之 NMOS,其 Vth = 2 V,在 VGS = 4 V 時的 ID為 1 mA,則應用於放大器電路之跨導(transconductance)值:(A) 0.25 mA/V (
73.一共汲極(common-drain)放大器的源極電阻為 0.9 kΩ時的等效輸出電阻為 90 Ω,則當源極電阻改為 0.7 kΩ時的等效輸出電阻值:(A) 70(B)92.5 (C)90 (D)
75.已知一電晶體的截止頻率(cutoff frequency)為 300 MHz,β = 100,則其短路電流增益(short-circuit current gain)的頻寬:(A) 300 MH
77.一 A 類功率放大器的負載交流電壓振幅為 5 V,負載電阻為 5 kΩ,若 10V 電源供應的平均電流為 1.25 mA,則其效率為何?(A) 50% (B) 25% (C) 20% (D) 1
78.利用運算放大器實現一階 RC 積分器時,若輸入電壓為一步階函數(step function),則輸出電壓將為:(A) 0(B)一直流值(C)弦波(D)一斜坡(ramp)函數,經過一段時間後為正負