【題組】 ⑷求CS至少應多大,使此放大器之低-3 dB頻率ωL = 100 rad/sec(不計CC1、CC2之效應)。(5 分) VDDRDCC2vd voRsig CC1RL++vsig - VS
三、如圖電路,Qn與Qp均為增強型MOS電晶體,其臨界電壓Vtn = |Vtp| = 1 V,其輸出電阻ro均為∞。當工作於飽和區(Saturation Region)之汲極電流iDn與iDp分別為:
【題組】 ⑶如果三多公司購入公司債之目的為多餘資金的運用,隨時可將公司債售出,且購入時即指定該公司債為透過損益按公平價值衡量之金融資產,請問 101 年 12 月31 日債券分錄相關分錄?(10 分)
四、達新公司 101 年及 100 年資產負債表如下:其他資訊(a) 已提完折舊之設備,成本$39,000被報廢,無殘值。本年度新購入設備成本$157,000。(b) 本期將面額應付公司債$100,0
【題組】 ⑵畫出單一電晶體動態 DRAM 單元(dynamic RAM cell)的電路圖,包括字組線(word line)以及位元線(bit line),並簡要地說明為何這種 RAM 需要做復新(r
二、 雙端優先權佇列(double-ended priority queue)為一個能夠支援下列運算動作的資料結構:插入一個任何鍵值(key)的資料項、取出最小鍵值的資料項與取出最大鍵值的資料項。今若