6.如【圖 6】所示,導體的運動方向為何?(A)向上(B)向下(C)向左(D)向右
7.有一線圈的自感量為 0.5 亨利,若通過了4 安培的電流,則線圈所儲存的能量為多少焦耳?(A) 2(B) 4(C) 16(D) 20
8.如【圖 8】所示電路中,開關閉合前,電容器沒有儲存能量,在開關S 閉合後的瞬間,電流 I 為多少安培?(A) 0(B)3(C) 5(D) 10
9.將4 庫倫正電荷由B 點移至A 點,作功 60 焦耳,若A 點對地電位為 30 伏特,則B 點對地為多少伏特?(A) 15(B)30(C) 45(D) 60
10.平衡三相Y 接電源,相序為正相序(a-b-c),若線路電壓 ,則: (A) (B) (C) (D)
11.小明家客廳有六顆 100 瓦的電燈泡,如果這六顆電燈泡每天點亮 8 小時,每月點 30 天,假設每度(千瓦.小時)電費為 5 元,請問使用此六顆電燈泡,每月須繳多少電費?(A) 600元(B)
12.一般而言,當溫度升高時,大部分的金屬其電阻值將:(A)不變(B)減少(C)增加(D)不確定
13.有一電熱器之額定為 100 V/1250 W,則其等效電阻為多少歐姆?(A) 16(B) 12.5(C) 8(D) 2.5
14.額定為 200 V/2000 W 之均勻電熱線,平均剪成 3 段後再並接於 50 V 的電源,則其總消耗功率為何?(A)667 W(B) 875 W(C) 1125 W (D)1350 W
15.將一電容器加上 12 伏特電源,儲存了6 ×10-4 庫倫的電荷,則此電容器之電容量為:(A) 20 微法拉(B) 40 微法拉(C) 50 微法拉(D) 72 微法拉
16.下列何者不是磁通Φ的單位?(A)線(B)馬克斯威(C)高斯(Gauss)(D)韋伯(Wb)
17.一理想電流源,其內阻應該為:(A)零(B)無限大(C)隨負載電阻而定(D)任意值
18.一陶瓷電容器標示 103 M,則其電容器為:(A) 0.01 µF±20%(B) 0.01 µF±10%(C) 0.1 µF±20%(D) 1.03 µF
19.有兩個交流訊號分別為 v(t)=60sin(377t+30°) V和 i(t)=40sin(377t-10°) A,此兩個交流訊號的相位關係為何?(A) v 領先 i 20°(B) v 滯後 i
20. R-C 串聯電路中,若R=400 kΩ,C=0.5 µF,則時間常數 τ 為何?(A)5秒(B) 0.5秒(C)0.2秒 (D)0.02秒
21.有一個電源的瞬時電壓表示式為 V(t)=110 sin(377t+50°)V,則下列何者錯誤?(A)頻率為 60 Hz(B)波形為正弦波(C)有效值為 110 V(D)角速度為 377弳/秒
22.有一波形電壓峰對峰值VP-P (Peak-to-Peak Value)為 311 V 之正弦波,則此波形的有效值為:(A) 110 V(B) 155.5 V(C) 220 V(D) 311
23.有一電源的電壓瞬時式方程式為 V(t)=200sin(377t-120°) V,則 t=(1/60)秒時的瞬間電壓為多少?(A)100 V(B) -100 V(C) 173.2 V(D) -1
24.有關半導體摻雜(doping)的敘述,下列何者錯誤?(A)摻雜濃度越高的半導體導電性越好(B)摻雜 3 價的半導體中,自由電子的數量>電洞的數量(C)摻雜 3 價的元素:硼(B)、鋁(Al)、
25. RC 耦合的串級放大器中,造成低頻響應不良的原因為何?(A)電晶體的極際電容所造成(B)電路的雜散電容所造成(C)耦合電容與旁路電容(D)線路電壓降過大
26.有關二極體的逆向飽和電流(Reverse Saturation Current)之相關敘述,下列何者正確?(A)是由少數載子及多數載子所形成(B)逆向飽和電流的大小與外加的偏壓有關(C)溫度越
27.橋式整流器會有幾隻接腳?內部又有幾個二極體所組成?(A) 3 支接腳;2 個二極體(B) 3 支接腳;4 個二極體(C) 4 支接腳;4 個二極體 (D)4 支接腳;5 個二極體
28.雙極性電晶體(Biopolar Junction Transistor 簡稱 BJT)的構造中,何者的濃度最高?(A)集極(Collector)(B)射極(Emitter)(C)閘極(Gate
29.雙極性電晶體(Biopolar Junction Transistor 簡稱 BJT)的共基極組態(CB)放大電路之交流輸入接腳,其中一支輸入接腳為共用腳,而另一支輸入接腳是哪一極?(A)集極
30.如【圖 30】的金氧半場效應電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tranisitor,簡稱 MOSFET),若要操作在飽和區,則下列何者的偏壓方