4. 半導體偵檢器與閃爍偵檢器用於偵測光子能譜，針對光譜的解析度(resolution)與偵測效率(efficiency)之比較，下列何者正確？ (A)半導體偵檢器有較佳的解析度與較高的偵測效率 (B
7. 已知197Au對於熱中子(thermal neutron)的吸收截面為99邦(b)，請問197Au對動能為10 eV中子的吸收截面為何？(A) 0.248 b (B) 0.495 b (C) 4
8. 細胞受輻射照射後，若 α= 0.25 Gy -1，β= 0.025 Gy -2 ，單次照射劑量為 2 Gy，試問細胞存活的比例約多少 % ? (A) 49 (B) 55 (C) 60 (D) 6
9. S 表示質量阻擋本領(mass stopping power)，ion 表示游離(ionization)、rad 表示制動輻射(radiation)、Pb 表示鉛，請問對 10 MeV 以下的入
10. 10B(n,α)7Li，反應的 Q 值 2.31 MeV，則 α 粒子與 7Li 各分得多少 MeV 能量？(A) 1.47 , 0.84 (B) 1.45 , 0.86 (C) 0.88 ,
11. 已知 100 kVp 的 X 光，其半值層為 0.2 mm 鉛，今若欲將某點 8 mSv/h 的劑量率降為10 uSv/h，試求所需鉛屏蔽的厚度至少為多少 mm？(A) 0.5 (B) 0.8
13. 在光子會衰減的情況下，6 MV 的光子與水發生作用，請問在增建區後的深度，kerma與 dose 的關係? (A) kerma 略大於 dose (B) kerma 遠大 dose (C) k
14. 有一圓柱型蓋革(GM)偵檢器，陽極燈絲直徑0.1 mm，圓柱(陰極)直徑2 cm，請問陽極表面0.1 mm處之電場，是圓柱中間點(距離燈絲中心1.0 cm)電場的幾倍？(A) 0.05 (B)