170. 一半波整流電路,若輸入交流電壓有效值為 400 伏特,RL的阻值為 4kΩ,下列何者正確?(A)直流輸出電壓Vdc=80V(B)直流輸出電壓 Vdc=180V(C)整流二極體之峰值反向電壓(
173. 如下圖所示,電晶體的導通電壓 VBE=0.6V,稽納(Zener)二極體的崩潰電壓為 6.4V,當 Vi=12V 時,下列何者正確? (A)I=2A(B)I=0.5A(C)Vo=7V(D)V
174. 一負載 RL=5 kΩ 與稽納二極體並聯的穩壓電路,其 VZ=5V 當輸入電壓 Vin使稽納二極體進入崩潰區,則 RL端的輸出電壓 VL 及輸出電流 IL,下列何者正確?(A)VLVL=0V
175. 比較 MOSFET 與 BJT 的特性,下列哪些正確?(A)MOSFET 的輸入電阻大(B)MOSFET 為電流控制(C)MOSFET較適合大容量電晶體的製程(D)單一細胞體(Cell)比較
178. 對於串級放大電路的特性,下列述敘何者正確?(A)總電壓增益為各級增益的積(B)若有 n 級放大器,每級之放大倍數均為 Av,則總放大倍數為(Av)n(C)若有 n 級放大器,每級之放大倍數均
179. 關於電晶體放大電路的敘述,下列何者正確?(A)共集(CC)有最高的輸入電阻(Ri)(B)共集(CC)有最低的輸入電阻(Ri)(C)共基(CB) 有最低的電流增益(Ai)(D)共基(CB) 有
180. 關於電晶體特性的敘述,下列何者正確?(A)溫度每升高 1℃,VBE升高 2.5mV(B)溫度每升高 1℃,VBE降低 2.5mV(C)溫度每升高 10℃,逆向飽和電流 ICO的值增加一倍(D