15. 下圖所示之符號,為何種元件之圖示符號? (A)SCR(B)UJT(C)MOSFET(D)PUT。
16. 下列各圖所示,何者為透納(tunnel)二極體之符號?
17. 依據中華民國國家標準(CNS)規定,下列何者不以實線來繪圖?(A)隱藏輪廓線(B)尺度線(C)指線(D)剖面線。
18. 下圖所示為何種元件名稱? (A)N-MOSFET(B)P-MOSFET(C)N-IGBT(D)P-IGBT。
2. 電晶體當作線性放大時,需要工作在(A)作用區(B)飽和區(C)截止區(D)崩潰區。
3. 樞密特觸發電路(Schmitt Trigger Circuit)有下列何種功能﹖(A)可將方波轉變成鋸齒波(B)可將方波轉變成正弦波(C)可將方波轉變成三角波(D)可將正弦波轉變成方波。
4. 常與高速閘流體配合的為下列何種二極體﹖(A)齊納二極體(B)快速二極體(C)DIAC(D)整流二極體。
5. TTL IC 的高輸入準位臨界值為(A)2.0V(B)2.4V(C)3.0V(D)1.6V。
6. 利用金氧半場效電晶體控制導通與否的閘流體稱為(A)SITH(B)RCT(C)MCT(D)GTO。
7. 下列何種元件導通可由信號控制而截止不可控制?(A)GTO(B)IGBT(C)SCR(D)SIT。
8. 具有電流雙向導通功能的元件是(A)TRIAC(B)GTO(C)MOSFET(D)MCT。
9. 兩只電容器的電容量與耐壓分別為 3μF/100V 與 6μF/100V,若將此二電容器串聯,則其所能耐受之最大電壓為多少伏特?(A)100V(B)125V(C)150V(D)200V。
10. 面積為 A,板間距離為 d 之平板電容器,若將極板面積加倍,板間距離亦加倍,則其電容量為(A)原值之 1/2倍(B)與原值相同(C)原值之 2 倍(D)原值之 4 倍。
11. 當電路 dv/dt 過大時,易使閘流體(A)提早截止(B)延遲導通(C)不受影響(D)打穿。
12. 下列功率元件,何者須加連續驅動信號才能持續導通?(A)GTO(B)TRIAC(C)IGBT(D)SCR。
13. 變阻器(Varistor)之電阻值係與(A)所加電壓呈反比(B)周圍溫度呈反比(C)所加電壓呈正比(D)周圍溫度呈正比。
14. (0.1μF+120Ω,250V)係下列何種元件的規格:(A)EMI 過濾器(B)突波吸收器(C)緩震器(Snubber)(D)變阻器。
15. 下列電容器中,何者之介電係數為最大?(A)電解電容(B)鉭質電容(C)膠質電容(D)金屬膜電容。
16. 下列何者不是轉速偵測用之感測器?(A)近接開關(B)霍耳元件(C)編碼器(D)應變計。
17. 在頻率超過 100MHz 以上之電路中,下列何者較不適合作為高頻電容器使用?(A)陶質電容器(B)雲母電容器(C)聚苯乙烯電容器(D)鉭質電容器。
18. MOSFET 由於輸入阻抗高,受靜電打穿其絕緣層(SiO2)之可能性比 JFET 來得(A)大(B)小(C)相等(D)不一定。
19. 在交換式定電壓電源電路中,通常以下列何者來抑制湧入電流較理想?(A)電容器(B)電感器(C)功率熱阻器(D)固態繼電器。
20. 高於 10pF 以上之電容器通常以英文字母代表容許誤差,英文字母 K 的容許誤差為多少?(A)±1%(B)±2%(C)±5%(D)±10%。
21. 下列何種電容器較適合用於溫度補償?(A)低介電係數陶瓷電容(B)鉭質電容器(C)電解電容器(D)紙質電容器。
22. 下列何種突波吸收零件是隨外加電壓而電阻值會變化之具有電壓依存性的電阻器,且當電壓超過其額定值時,電阻值會急速下降?(A)以 C"(電容)"、R"(電阻)"