12. 下圖 O/P 與 I/P 之關係為(A)I V(B)V I(C)F I(D)I F。
27. 下圖何者是線性電阻器的特性曲線? 。
82. 電晶體小信號放大,其主要要求為(A)線性放大(B)功率放大(C)頻率響應好(D)電流增益大。
83. 下圖所示,A 點與接地點間之輸入阻抗約等於(A)RB (B)RB+RE (C)RB+RE(1+β) (D)RB+αRE 。
25. 下圖 Vi =10V,而 Vo 為(A)5V(B)5.6V(C)6.2V(D)10V。
28. milli 安培是(A)十分之一安培(B)百分之一安培(C)千分之一安培(D)萬分之一安培。
29. pico 法拉是(A)10-6 法拉(B)10-9 法拉(C)10-12 法拉(D)10-15 法拉。
30. 下圖中 L 為(A)抗流線圈(B)抗壓線圈(C)音頻線圈(D)高週線圈。
6. 下圖所示若兩個反及閘皆為開集極輸出閘,其輸出 F 為 。
84. 共射極放大器輸入信號與輸出信號各位於何極之間(A)B-C,C-E(B)B-E,C-B(C)B-E,C-E(D)C-B,C-E。
85. 電晶體工作於 CE 放大時,集極對射極電壓應(A)NPN 及 PNP 為正(B)NPN 為正,PNP 為負(C)NPN 及 PNP 為負(D)NPN 為負,PNP 為正。
86. 電晶體截止時 V CE電壓等於(A)0V(B)0.2V(C)0.8V(D)V CC 。
87. 飽和型電晶體開關電路比非飽和型電晶體開關電路速度慢,其主要原因為(A)儲存時間較長(B)延遲時間較長(C)上昇時間較長(D)下降時間較長。
88. 在各種交連電路中,何種交連之頻率響應最差(A)變壓器交連(B)RC 交連(C)電感交連(D)直接交連。
89. 要使 N 通道增強型 MOSFET 導通其閘極偏壓應為(A)負電壓(B)正電壓(C)正負電壓均可(D)零電壓。
90. 若將共源級放大器之源極旁路電容器移走時(A)電壓增益降低(B)電壓增益增加(C)互導降低(D)互導增加。
91. 下列何者不是達靈頓電路之特點(A)高電壓增益(B)高電流增益(C)高輸入阻抗(D)低輸出阻抗。
92. 有一放大器將 1mV 信號放大至 10V,其電壓增益為(A)20dB(B)40dB(C)60dB(D)80dB。
93. 放大器,其工作點在截止區者為(A)甲乙類放大(B)乙類放大(C)甲類放大(D)丙類放大。
94. 乙類推挽放大作功率放大器時最高效率為(A)61.5%(B)70.5%(C)78.5%(D)85.5%。
95. 一個三級放大電路,各級電壓分別為 10dB、20dB、30dB 則總電壓增益為(A)30dB(B)60dB(C)300dB(D)600dB。
96. 欲使差動放大器趨於理想則需(A)提高 CMRR(B)提高電源電壓(C)降低輸入電壓(D)提高共模增益。
97. 放大器電壓增益為 100,若加上一回授因數 β=0.19 的負回授電路,則回授後電壓增益為(A)5(B)19(C)50(D)100。
98. 運算放大器之 CMRR 值愈大時,則表示(A)共模增益愈大(B)易消除雜訊(C)差動放大器愈差(D)容易產生雜訊。
99. 放大器加上負回授後(A)增益增加(B)頻寬減少(C)改善失真(D)穩定度減低。