42.有一 JFET 動作於夾止區，若夾止電壓 Vp = −4V，IDSS = 8mA，求 VGS = − 2V 時的 ID值為多少？(A) 2 mA (B) 4 mA (C)8 mA (D)10 m
43.有關場效電晶體的敘述，下列何者錯誤？(A)場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體(B)場效電晶體的主要型式有 JFET，空乏型 MOSFET，增強型 MOSFET(C)場效電晶體以控制通道之寬度而
47.如【圖 47】所示電路為 N 通道空乏型 MOSFET 的偏壓電路，設 VDD=+24V，RD=2kΩ，RG=10MΩ，MOSFET的 IDSS = 9mA，Vp = − 4.5V，則直流偏壓值
50.如【圖 50】所示，若 Vi=10sinωt 伏特，且 OPA 之正、負飽和輸出電壓為±10V，則輸出電壓 Vo 範圍為何？ (A) 0V(B) −10V～+10V(C)0～+10V(D)−10
57.有關半剖面視圖的敍述，下列何者正確？(A)將一對稱物體自對稱軸對半剖切，即將物體的二分之一切除，所得的剖面稱為半剖面(B)剖面部分與外形部分交接處，應以中心線表示(C)為真實表達物體形狀，外形部