66.如下圖所示之電路的輸入阻抗(Rin)與輸出阻抗(Rout)分別為 (A)Rin→∞，Rout→∞(B)Rin→∞，Rout→０(C)Rin→０，Rout→∞(D)Rin→０，Rout→０。
20. 下圖符號為何種元件？ (A)Thermistor(B)光敏電阻(C)NTC 型溫度電阻(D)Photocell。
67.如下圖所示電路為單極點放大器，已知 0dB 時頻寬為 500KHz，則閉迴路頻寬為 (A)500KHz(B)400KHz(C)125KHz(D)100KHz。
21. 如下圖所示為低態動作的三態閘，下列敘述何者正確？ (A)當 B=0 時，C=A=1(B)當 B=0 時，C=A=0(C)當 B=1 時，C=A=1(D)當 B=1 時，C=A=0。
68.下列何項不是振盪所必要的條件(A)必須是正回授(B)回授因數 βA 必須為≧1(C)必須有電感器(D)必須有維持振盪的足夠能量。
69.下列何者不是負回授的優點？(A)降低諧波失真(B)增進放大器穩定度(C)減少相位失真(D)較佳的低輸入阻抗。
70.如下圖所示電路，這是一個典型的 (A)低通濾波器(B)高通濾波器(C)峰值檢出器(D)對數電路。
22. 如下圖所示，下列敘述何者正確？ (A)互補式輸出的緩衝器，當 D=0 時，E=0 及 F=1(B)互補式輸出的緩衝器，當 D=1 時，E=1 及 F=0(C)互補式輸出的反相器，當 D=0 時
61.如下圖，若 5RC＜＜Tw(脈寬)，則電路應為？(A)單擊電路(OneShot)(B)除頻電路(C)倍頻電路(D)觸發電路。
71.輸送線之入射波振幅為 25V，反射波振幅為 5V，其駐波比(VSWR)為(A)5(B)1/5(C)3/2(D)2/3。
72.有一放大電路，其輸入阻抗為 100KΩ，輸出阻抗為 1KΩ，當輸入 2mV 信號而輸出為 2V 的狀況下，則此放大電路的功率增益為(A)30dB(B)58dB(C)80dB(D)100dB。
73.半導體在-273℃(即絕對溫度 0°K)時，其特性為(A)純導體(B)絕緣體(C)負電阻性(D)正電阻性。
74.目前台灣的有線電視，其鎖碼台的解碼器實係一種(A)低通濾波器(B)高通濾波器(C)解調制器(D)陷波器。
75.若積分電路中，T 為信號周期，TS 為電路中之時間常數，若欲得到較佳之積分特性則(A)TS ＞＞T(B)TS ＜＜T(C)TS =T(D)兩者無關。
76.已知一電晶體 β=10，則 α 為(A)0.95(B)0.909(C)0.99(D)1.1。
77.FET 在低的VDS 時，可視為(A)定電流器(B)定電壓器(C)電阻(D)電感器。
78.一個 80W 的電晶體（在 25℃下的額定），其衰減因素為 0.5W/℃，則在 125℃溫度下，其最大功率消耗值為(A)30W(B)40W(C)50W(D)60W。
79.如下圖電路中，若該矽電晶體之 hfe =30，ICBO =0，則此電晶體動作為 (A)截止(B)飽和(C)工作(D)不動作。
23. 如下圖所示，下列敘述何者正確？(A)T1 為 NMOS 元件(B)T1 為 PMOS 元件(C)T2 為 PMOS 元件(D)T2 為 NMOS元件。
62.四位元的強生(Johnson)計數器的除頻計數為若干？(A)4(B)8(C)16(D)32。
63.如下圖的計數器，其輸出 f 為？(A)fck(B)fck/2(C)fck/3(D)fck/4。
24. 下列圖示哪些是與光電有關的組件？
80.如下圖之放大器中，若 Vi=2V，則 Vo 為 (A)2V(B)4V(C)8V(D)12V。
64.對一個 n-inputXOR 閘，下列敘述何者正確？(A)輸入為偶數個 0，則輸出就為 0(B)輸入為偶數個 0，則輸出就為 1(C)輸入為奇數個 1，則輸出就為 1(D)輸入為奇數個 1，則輸
65.已知一積體電路使用半導體製程 90 奈米技術，其 90 奈米指 MOSFET 元件的(A)長度 L(B)寬度 W(C)高度 H(D)厚度 T。