1.下列有關二極體的敘述,何者有誤? (A)可以使用三用電表檢驗二極體的材質 (B)實驗中常用的二極體編號為2N4xxx系列 (C)一般的二極體有記號或標註的那一端,通常為N極 (D)鍺比矽有較小的障
圖(一)所示的電路為理想運算放大器【題組】1.,其電源電壓為 ± 15V,若R12=4R11,當V1為-1.9V時,求V3處的電壓,下列何者較為正確? (A)+7.6V (B)-7.6V (C)+9.
如圖(一)所示之電路,【題組】2. 若β = 100,VBE(sat) = 0.8 V,VCE(sat) = 0.2 V,且電晶體進入飽和區,下列選項何者正確?(A) RC(max ) = 161Ω(
2.下列有關PN接面二極體的敘述,何者有誤? (A)矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高 (B)二極體加順向偏壓後,空乏區變窄 (C)溫度上升時,障壁電壓上升 (D)溫
【題組】3. 承第 2 題,若RC = 5 k 且電晶體偏壓在飽和區,下列選項何者正確?(A) β (min ) = 32.2Ω(B) β(max ) = 32.2 (C) β(min ) = 100
4. 下列有關蕭特基二極體 ( Schottky diode ) 的敘述,何者不正確?(A) 由多數載子來傳導電流 (B) 具有較寬之空乏區(C) 導通 ( ON ) 速度相當快 (D) 截止 ( O
如圖(二)所示之電路,【題組】5. 運算放大器的飽和電壓為 ±12 V,下列敘述何者正確?(A) 電路為負峰值電壓檢知器(B) 電路為正峰值電壓檢知器(C) 電路為電壓隨耦器(D) 電路為正半波整流器