210. 下列敘述,何者是 CMOS(互補式 MOS)邏輯電路的主要特點 (A)交換速率比TTL還快得多(B)製作容易、價格低廉(C)消耗功率極小(D)雜訊免除性在所有邏輯中為最差的。
211. 下列哪一項為 TTL IC 優於 CMOS IC 的特性? (A)工作電壓範圍較廣(B)較能抗拒外來雜訊(C)耗電流較少(D)速度較快。
212. 下列哪種邏輯閘,當所有輸入端都輸入為 1,輸出才為 0 A(A)ND(B)OR(C)NOT(D)NAND。
111. 下圖變壓器 N1=100T,N2=10T 則輸出端 Vp-p= 。
213. 如圖的函數方程式 。
112. 測量電晶體之順向偏壓VBE 若超過 0.8V 則電晶體 (A)工作於飽和區(B)工作於截止區(C)工作於放大區(D)已破壞。
113. 矽晶體之電流增益,受溫度影響較鍺晶體 (A)大(B)小(C)一樣(D)不一定。
114. 電壓與電流若為異相時,其意義是 (A)電壓超前電流(B)電壓超前或落後電流(C)電流超前電壓(D)兩者相差 90°。
115. 輸出阻抗最低的電路組態是 (A)共射極(B)共集極(C)共源極(D)共基極。
116. 放大器內採用 RC 交連其主要之缺點下述何者為誤 (A)電阻性負載損失功率大(B)前後級間輸出入阻抗不易匹配(C)效率高(D)低頻會受到限制。
301. 最大輸出功率為 20W 的 B 類推挽式電晶體放大器中,每顆電晶體的集極消耗功率額定值為 (A)30W(B)15W(C)10W(D)4W。
214. 要想將一 SN7400 NAND 閘,當成一反相器使用,則對另一輸入端之處理,下列何者不適當? 。
117. 此電路工作於工作區,輸入信號為 則輸出OUT信號為何種波形? 。
215. 如下圖所示,下列敘述何者有誤? (A)C=1,則Y=AB(B)C=0,則Y=1(C)B=1,則Y=AC(D)B=0,則Y=0。
216. 若 A=1101 (2),B=0111(2),兩數作比較則 (A)A>B(B)A<B(C)A=B(D)A≧B。
217. 如下圖所示,請問此電路屬於何種系統? (A)解碼器(B)多工器(C)解多工器(D)編碼器。
218. 如下圖所示,由 IC555 所組成的電路,其功能為 (A)單穩態多諧振盪器(B)雙穩態多諧振盪器(C)不穩態多諧振盪器(D)韋恩振盪器。
118. 根據下圖,當 e1 =e2 且 V0 =0,RL1 與 RL2 之阻值應 (A)相等(B)相差10倍(C)相差20倍(D)相差30倍。
219. 以一個八對一的多工器而言,最少需有幾條選擇線? (A)3條(B)4條(C)5條(D)8條。
220. 十進制數 23.75 化成二進制時,應為 (A)10111.11(B)10111.011(C)10110.101(D)10111.10。
221. 下列布林方程式何者正確? 。
119. 下圖為一差動放大之電路,若 e1 輸入電壓與 e2 相等且 RL1 ≠RL2 ,則 C1 與 C2 間電壓增益為 (A)無增益(B)視RL1,RL2而定 (C)e1的五倍(D)e2的十倍 。
120. 當電晶體溫度增加時,則基射極電壓 (A)減少(B)增加(C)先增加後減少(D)不變。
121. 鍺二極體作為檢波器較矽二極體優,係因 (A)順向電壓低(B)內阻小(C)頻率反應佳(D)雜波小。
122. 佛來銘右手定則中,食指所指的方向表示 (A)電流方向(B)電子流方向(C)磁力線方向(D)導體運動方向。