394. 5kΩ/5W 與 5kΩ/2W 之兩電阻器串聯，其等值電阻為 (A)5KΩ/7W(B)10kΩ/7W(C)10kΩ/4W(D)10kΩ/5W。
395. 如下圖所示當 K 為 OFF 時 Va 之值為 (A)6(B)8(C)10(D)12 伏特。
396. 材料與長度相同之導線，如其電阻值減為原來之 1/2，則必 (A)直徑為原來之2倍(B)直徑為原來之1/2倍(C)截面積為原來的2倍(D)截面積為原來之1/2 倍。
397. 電容 200μF 以定電流 2A 充電，求何時端電壓可達 100V？ (A)100(B)10(C)0.1(D)0.01 秒。
398. 設電容 C1 =3μF，耐壓為 500 伏，C2 =6μF，耐壓為 200 伏，將其串聯後，耐壓為多少伏特 (A)200(B)450(C)500(D)600。
399. 有 R=50Ω，L=0.5H 串聯電路，加上 100 伏特電源，開始充電瞬間電流為 (A)2(B)1(C)0.5(D)0 A。
400. 某電感器之電感量為 3 亨利，內阻為 6Ω，其時間常數為多少？ (A)0.5(B)0.1(C)0.2(D)0.05 秒。
402. 設 v(t)＝-10cos(ωt-30°)，i(t)＝-5sin(ωt＋60°)，則 (A)電壓超前電流90°(B)電壓超前電流30°(C)電壓落後電流60°(D)電壓與電流同相。
403. 如下圖所示三角波波形的有效值 Vrms =？ (A)0.71V(B)0.58V(C)0.5V(D)0.35V。
404. 如下圖所示所示波形的平均值 Vdc =？ (A)1.4V(B)1V(C)0.7V(D)0V。
405. 一交流電流 i(t) = 10sin785t (mA)流過 1K 歐姆電阻，則電阻的平均功率為 (A)100W(B)100mW(C)50μW(D)50mW。
406. 如下圖所示電路中，二極體使用理想模型，求輸出電壓值 Vo 為 (A)4V(B)2V(C)1V(D)0V。
407. 若二極體順向工作電壓 0.7V，導通電流為 6.5mA，則二極體的靜態電阻 R 為 (A)108Ω(B)70Ω(C)30Ω(D)4Ω。
408. 下列敘述何者錯誤？ (A)在本質半導體中加入微量的五價元素則形成N型半導體(B)N型半導體的少數載子為電洞(C)本質半導體中所加入的五價元素稱為施體(D)矽半導體隨溫度上升，其電阻值增加。
409. 比較器的輸出波形為 (A)弦波(B)三角波(C)方波(D)正負脈衝。
410. 無外加電壓的情況下，在二極體接面電位極性為 (A)P型側為負，N型側為正(B)P型側為正，N型側為負(C)電中性(D)不一定。
411. 共集極放大電路的電壓增益 (A)大於1(B)等於1(C)甚大於1(D)接近1，但小於1。
412. 對直接耦合放大器而言，下列敘述何者為真？ (A)低頻響應較佳，工作點較穩定(B)低頻響應較差，工作點較穩定(C)低頻響應佳，工作點較不穩定(D)低頻響應較差，工作點較不穩定。
413. 電阻電容耦合串級放大器的耦合電容功用為何？ (A)阻隔前後級之直流電壓(B)降低輸入阻抗(C)降低熱雜訊(D)作前後兩級之阻抗匹配。
414. 場效電晶體（FET）與電晶體比較，下列何者是場效電晶體的優點？ (A)電壓增益較大(B)輸入阻抗較大(C)頻帶寬較大(D)電流增益較大。
415. 場效電晶體（FET）工作時靠下列何者來控制汲極電流大小？ (A)閘極電流(B)閘極電阻(C)閘源極電壓(D)源極電流。
416. 場效電晶體當線性放大器時，工作在 (A)歐姆區(B)飽和區(C)截止區(D)三極管區。
417. 源極隨耦器（source-follower）是屬於哪一種組態？ (A)共汲極組態(B)共閘極組態(C)共源極組態(D)共集極組態。
418. JEET 的飽和區電流公式為 。
419. 下列有關負回授的敘述，何者有誤？ (A)穩定度提高(B)失真減小(C)頻帶寬度增加(D)電壓增益加大。