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10. 下圖是代表(A)橋式 T 型陷波器(B)並聯諧振型陷波器(C)串聯諧振型陷波器(D)半波三倍壓整流。

159. 與 並聯接於某電源（Ｅ）上，各消耗 100 瓦特及 200 瓦特之電功率，已知 R1=100 歐姆，則Ｅ及 R2為何？(A)Ｅ=100V(B)E=120V(C)R2 =50 歐姆(D) =8

160. 有一 RLC 串聯電路，其諧振頻率f0 =1000Hz，R=10Ω，XL =100Ω，則品質因素 Q 及頻寬 BW 為何？(A)Q=100(B)Q=10(C)BW=100Hz(D)BW=10

161. 十進位 56 之等效值為何？(A)111000(2) (B)200(5) (C)70(5) (D) 30(16)

162. 十六進位值為19.C(16) ，若轉換為八進位及二進位碼其值為何？(A)47(8) (B)31.6(8) (C)00011001.1100(2) (D) 0011000.1000(2)。

163. 有關 CMOS 的敘述，下列何者正確？(A)NOR 閘部分不用的輸入端最好接到VDD 端(B)NAND 閘部分不用的輸入端最好接到VDD 端(C)CMOS 的工作速度較 TTL 高(D)CM

164. (本題刪題)以 TTL 或 CMOS 閘之輸出來驅動 LED 時，下列電路接法何者較不適當？(A)(B)(C)(D) 。

229. 下圖電路所示，下列敘述何者正確？(A)IB=3.6μA (B)IE=0.105A (C)VE=11.6V (D)由信號源 Vi所看到的輸入阻抗=1.6MΩ。

165. 當 TTLIC 與 CMOSIC 使用相同電源時，下列電路接法何者較為適當？

11. 下圖是代表(A)哈特萊振盪器(B)考畢子振盪器(C)電子耦合振盪器(D)多諧振盪器。

166. 下圖電路所示，為 IC555 所構成的電路，下列敘述何者正確？ (A)為無穩態多諧振盪器(B)振盪週期 T＝0.693(Ra＋2Rb)C(C) Vo為高電位的時間 TH ＝0.693(Ra＋

12. 下圖符號表示(A)SCS(B)SCR(C)GTO(D)DIAC。

230. 下列何者不是正確的達靈頓（Darlington）電路組態？ (A) NPN 型達靈頓（Darlington）電路(B) PNP 型達靈頓（Darlington）電路(C) NPN 型達靈頓（

13. 4μF 與 8μF 之電容器，串接於 120V 之直流電源，則 8μF 之電壓為(A)40V(B)60V(C)80V(D)120V。

167. 下圖電路所示，若 T 為 Hi(高電位）且 fin 為 10KHz 的週期性脈波，且脈波的工作週期(duty cycle)為 30％，下列敘述何者正確？ (A)fo＝3KHz(B)fo＝5K

14. 如下圖電路中Ｉ＝(A)1A(B)3A(C)5A(D)7A。

168. LED 共陰極七段顯示器可由下列那些 IC 來推動？(A)74138(B)7447(C)7448(D)4511。

169. 半加器的兩輸入端為 A 和 B，和的輸出為 S，進位輸出為 C，則下列敘述何者錯誤？

15. 雙向觸發二極體的符號是？(A) (B) (C) (D) 。

231. 有關 MOSFET 之敘述，下列何者正確？(A)空乏型 N 通道 MOSFET 其 VGS可接負電壓或正電壓(B)空乏型 MOSFET 本身結構沒有通道(C)增強型 P 通道 MOSFET

232. 有關振盪器的敘述，下列何者錯誤？(A)石英晶體振盪器的頻率最為穩定(B)石英晶體是一種壓電材料(C)石英晶片愈薄振動頻率愈低(D)低頻振盪器一般採用石英晶體振盪器為主。

233. 下圖電路所示，假設二極體為理想二極體，則流過 2KΩ 電阻的電流 IR 及 Vo 電壓為何？(A)IR =4.5mA(B)Vo=0V(C)IR =2.5mA(D)Vo=5V。

170. 下列敘述那些不是組合邏輯電路？(A)解碼電路(B)多工電路(C)計數電路(D)七段顯示器。

171. 有關共基極放大器的敘述，下列何者正確？(A)高輸入阻抗(B)高輸出阻抗(C)電壓增益小於 1(D)電流增益略小於1。

172. 下圖電路所示，下列敘述那些為正確 (A)若 開路，則Vo ＝Vcc (B)若R1 開路，則 Vo＝0V (C)若R1  開路，則 Vo ＝0V(D)若 Re 開路，則 Vo ＝Vcc。

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