統測(一)電子學、基本電學

22.在BJT放大器電路中，下列何者具有最低的輸入阻抗？ (A)共射極放大器 (B)共集極放大器 (C)共基極放大器 (D)射極隨耦器

21.一個電路為一個電感器串聯一個電阻器，在此電路的兩端施加一 個弦波信號，使用示波器的兩個通道來觀測電感器與電阻器兩端的二電壓信號，下列敘述何者錯誤？ (A)二電壓信號皆為弦波信號 (B)二電壓信號

20.將一電路轉換為戴維寧等效電路時，其開路電壓為5V，轉換成諾頓等效電路時，其短路電流為0.2A，此等效電路的輸出電阻為： (A)25Ω (B)30Ω (C)35Ω (D)40Ω

19.有3個電阻器分別為4kΩ、5kΩ、20kΩ，將3個電阻器並聯一起， 並在兩端施加4V的電壓，則流過3個電阻的總電流為： (A)1.5mA (B)2.0mA (C)2.5mA (D)3.0mA

18.一顆MOS電晶體為放大器使用時，必需將此電晶體偏壓在： (A)截止區 (B)三極體區 (C)線性區 (D)飽和區

17.PN二極體順向導通的電流稱為： (A)擴散電流 (B)漂移電流 (C)飽和電流 (D)感應電流

16.在電路實驗中，用電表量測一顆NPN電晶體時，發現B、E兩端是 順偏，B、C兩端也是順偏，則此電晶體工作區為： (A)截止區 (B)順向主動區 (C)逆向主動區 (D)飽和區

15.實驗中常用的1\/4W碳膜電阻器，若電阻值為100Ω，則其兩端可以 施加的最大直流電壓為： (A)3V (B)5V (C)7V (D)9V

14.將一顆增強型NMOS電晶體偏壓在飽和區且=3V，若其臨界電壓為1V，當下降到2V時，汲極電流大小會變為原電流的： (A)1\/2 (B)1\/3 (C)1\/4 (D)1\/5

12.使用示波器觀測信號時，若信號的頻率增加，利用示波器要觀測到較精確的信號周期時，要調整哪個設定？ (A)垂直解析度(VOLTS\/DIV) (B)位置調整(POSITION) (C)水平解析度(

13.一顆CMOS的數位邏輯閘，其NMOS部分只由2個電晶體並聯組成，則此邏輯閘為： (A)及閘(AND) (B)或閘(OR) (C)反及閘(NAND) (D)反或閘(NOR)

11.一個MOS疊接放大器是由哪些放大器構成？ (A)共源極+共源極 (B)共閘極+共汲極 (C)共源極+共汲極 (D)共源極+共閘極

10.將方波信號輸入到運算放大器積分器，則其輸出端信號的波形為： (A)方波 (B)三角波 (C)正弦波 (D)脈衝波

9.使用運算放大器(OPA)反向放大器做小信號放大，若電壓放大倍率為50且信號源接到OPA的反向端之電阻值為0.2kΩ，則此電路的回 授電阻值為： (A)1kΩ (B)5kΩ (C)10kΩ (D)5

8.一顆NMOS電晶體工作在飽和區，若電晶體的臨界電壓=1V， 則下列何者正確？ (A) (B) (C) (D)

7.一個雙極性接面電晶體(BJT)共射極放大器，射極端接1kΩ電阻到 接地端(0V)，基極的偏壓電壓為2.7V，若電晶體基-射極兩端間的導通電壓()為0.7V並忽略基極電流，此電晶體的偏壓電流為： (

6.一個30mH的電感器串聯一個40Ω的電阻器，在此電路兩端接上一 個10sin(1000t)V的交流電壓，t為時間(單位：秒)，則電路兩端的 總阻抗值大小為： (A)40Ω (B)50Ω (C)60

5.一顆電解質電容器標示為470μF，50V，表示可以施加在電容兩端 電壓的最大值為50V，其可以儲存的電荷最大值為： (A)5000μC (B)11750μC (C)23500μC (D)47000

4.有關電位計的敘述，下列何者錯誤？ (A)有3支接腳 (B)又可稱為可變電阻器 (C)可實現之最小電阻值=0 (D)任2支接腳間的電阻值皆為可調

2.指針型三用電表之量測功能，不具備下列何者？ (A)交流電壓 (B)交流電流 (C)直流電流 (D)直流電壓

3.實驗時手邊有兩個1μF的電容器，下列哪一電容值無法實現？ (A)0.1μF (B)0.5μF (C)1μF (D)2μF

1. 電場中，將電量為 Q 庫倫的電荷由 a 點移到 b 點需作功 64 焦耳；而將 Q 庫倫的電荷由 c 點移到b 點需作功–20焦耳，若b 點電位為10V，c 點電位為20V，則c 點對a 點之電

1.一個8.2kΩ的碳膜電阻器，其3個色碼由左到右依序為： (A)灰紅紅 (B)灰紅黑 (C)黃紅紅 (D)黃紅黑

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