53.如右【圖8】電路所示【題組】,hie=lKΩ,hfe = 40RB1=RB2=150 KΩ,RC=4kΩ,試利用近似等效電路,hre及hoe的效應略去不計,則AV為何?(A)-118(B)-12
38.某 BJT 的 BE 接面為逆向偏壓、BC 接面為順向偏壓,則該 BJT 的操作模式為:(A)順向作用區(forward active region) (B)截止區(cutoff region)
39.某 BJT 的共射極電流增益(common-emitter current gain) β = 99,則其共基極電流增益(common-base current gain) α為何?(A) 0.
42.如【圖 42】所示以分壓器偏壓之 BJT 共射極(common-emitter, CE)放大器,則下列敘述何者錯誤? (A)計算直流偏壓條件時,C1與 C2可視為開路(B)集極到基極間電壓約等於
43.有關 BJT 的共極集(common-collector, CC)放大器,下列敘述何者錯誤?(A)輸入電阻小、輸出電阻大(B)又稱為射極隨耦器(emitter follower)(C)適合作為緩
45.有關接面場效電晶體(junction field effect transistors, JFET)結構的敘述,下列何者錯誤?(A)只含一個 pn 接面,是一種單極性元件(unipolar de
46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) 為−5 V,當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、且 為一固定值−1 V 時,
47.如【圖 47】所示的 JFET 電路, = 12 mA 且 = −3 V,請問下列 值何者可以使該 JFET 操作於夾止區? (A) 0.9 kΩ (B) 1.1 kΩ (C) 1.3 kΩ (