【評論主題】23如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區，λ= 0，ID = 1 mA，CGS = 50 fF，CGD = 10 fF，CDB = 50 fF，採用米勒（Miller）趨近法，求位於 G
【評論內容】求解~~~