【評論主題】15 張貼春聯時須注意區分上下聯之不同,若面向大門,下列那一聯的貼法為正確?(A)財源廣進達三江(右) 生意興隆通四海(左)(B)百世歲月當代好(右) 千古江山今朝新(左)(C)桃符萬戶接新春(右)
【評論內容】
仄起平收
【評論主題】15 張貼春聯時須注意區分上下聯之不同,若面向大門,下列那一聯的貼法為正確?(A)財源廣進達三江(右) 生意興隆通四海(左)(B)百世歲月當代好(右) 千古江山今朝新(左)(C)桃符萬戶接新春(右)
【評論內容】
仄起平收
【評論主題】15 張貼春聯時須注意區分上下聯之不同,若面向大門,下列那一聯的貼法為正確?(A)財源廣進達三江(右) 生意興隆通四海(左)(B)百世歲月當代好(右) 千古江山今朝新(左)(C)桃符萬戶接新春(右)
【評論內容】
仄起平收
【評論主題】15 張貼春聯時須注意區分上下聯之不同,若面向大門,下列那一聯的貼法為正確?(A)財源廣進達三江(右) 生意興隆通四海(左)(B)百世歲月當代好(右) 千古江山今朝新(左)(C)桃符萬戶接新春(右)
【評論內容】
仄起平收
【評論主題】15 張貼春聯時須注意區分上下聯之不同,若面向大門,下列那一聯的貼法為正確?(A)財源廣進達三江(右) 生意興隆通四海(左)(B)百世歲月當代好(右) 千古江山今朝新(左)(C)桃符萬戶接新春(右)
【評論內容】
仄起平收
【評論主題】1 一台電腦有 64MB(megabytes)的記憶體,要定址記憶體內任一位元組(byte)需要多少位元(bits)? (A) 26 (B) 25 (C) 24 (D) 23
【評論內容】
;------------------------------------------------------------26*220=226
【評論主題】31. 路由器透過「動態路由設定」建立路由表,下列何者並非路由(routing)協定?(A) PPTP(Point to Point Tunneling Protocol) (B) BGP(Borde
【評論內容】
常見路由協定RIP 路由資訊協定RIP很早就被用在Internet上,是最簡單的路由協定。它是「路由資訊協定(Route Information Protocol)」的簡寫,主要傳遞路由資訊,通過每隔30秒廣播一次路由表,維護相鄰路由器的位置關係,同時根據收到的路由表資訊計算自己的路由表資訊。RIP是一個距離向量路由協定,最大跳數為15跳,超過15跳的網路則認為目標網路不可達。此協定通常用在網路架構較為簡單的小型網路環境。現在分為RIPv1和RIPv2兩個版本,後者支援VLSM技術以及一系列技術上的改進。RIP的收斂速度較慢。OSPF 開放式最短路徑優先OSPF協定是「開放式最短路徑優先(Open Shortest Path First)」的縮寫,屬於鏈路狀態路由協定。OSPF提出了「區域(area...
【評論主題】26 依我國刑法規定,阿哲雖然是大學新生,但他年滿幾歲,就需負起完全的刑事責任?(A)16歲(B)18歲(C)20歲(D)23歲
【評論內容】刑:14.18......看完整詳...
【評論主題】12.假設某二元樹(binary tree)經前序(Preorder)追蹤可得一次序為 ABCDEFGH,經中序(Inorder)追蹤可得一次序為CDBAFEHG,則此樹經後序(Postorder)追
【評論內容】前序(Preorder)追蹤可得一次序為 ABCDEFGH =>樹根為A後序最後一個為樹根A
【評論主題】4.下列何者不屬 4G LTE 相關技術?(A)HSPA(B)OFDMA(C) MIMO (D)All-IP networks
【評論內容】;---------------------------------------------------------------HSPA(高速分組接入): 3G (W-CDMA)
【評論主題】40 如圖所示為韋恩電橋振盪器(Wien-Bridge oscillator),已知 R = 10 kΩ 和 C = 16 nF,試求振盪頻率fo 約為多少? (A)1 kHz(B)2 kHz (C
【評論內容】
歐咩嘎= 1/RC
f = 0.16*歐咩嘎 ; 1/(2*3.14)=0.16
【評論主題】38 如圖所示為一施密特(Schmitt)觸發器,OP AMP 輸出的上下限為 ± 12 V。若要使輸出由負轉正時,vi 應到達何值? (A)-10 V (B)-2 V (C)2 V (D)10 V
【評論內容】
Vi=2*(-12)/12=-2
【評論主題】34 如圖一與圖二所示,為由 R1、R2 與理想 OPA 所構成的兩種不同施密特觸發電路,OPA 均採用相同的操作電源電壓,R1= 2 kΩ。若兩電路之輸出電壓 vo 均為正值時,圖一與圖二之 vi
【評論內容】
帶J大的公式或是
(-10R2+VoR1)/(R1+R2)=0
0*R2+VoR1/(R1+R2)=6
【評論主題】34 如圖一與圖二所示,為由 R1、R2 與理想 OPA 所構成的兩種不同施密特觸發電路,OPA 均採用相同的操作電源電壓,R1= 2 kΩ。若兩電路之輸出電壓 vo 均為正值時,圖一與圖二之 vi
【評論內容】
VTL1=-10
VTH2=6
解聯立
【評論主題】5 如圖所示一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度,此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為 |Vth| = 0.5 V 。
【評論內容】
Body effect
【評論主題】38 驅動電壓源 vS=4 sin(2×104t+30°) 伏特的 RLC 串聯電路中,當流過 R=1 kΩ 的電流振幅大小為 4 mA時,此電路之諧振頻率 ω0為多少(rad/s)?(A)8 k (
【評論內容】
電流振幅大小為 4 mA = Im = 4mA
【評論主題】8 雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor)若是工作在逆向作用區(reverse active mode),則射-基接面(emitter-base junction)
【評論內容】
逆向作用區是JBE逆、JBC順 ∈ II
【評論主題】31 圖中振盪器,C1=10μF,C2=20μF,L=100nH,R=10kΩ。電晶體的跨導(Transconductance,gm)需約為多少才能維持振盪: (A) 20mA/V (B) 2mA/V
【評論內容】
| AV*(C2/ (C1+C2) ) | = 1
AV=-gm*R
【評論主題】33 有一 RL 電路之電阻值為 8 歐姆,使用 60 Hz 電源時之功率因數為 0.8,若改用 80 Hz 電源時之功率 因數為何? (A) 0.6 (B) 0.707 (C) 0.866 (D)
【評論內容】
先算出L
再算出80hz之XL即得P.F
【評論主題】27 某一電感器通過 2 安培電流時,其儲存的能量為 0.4 焦耳。若欲將儲存的能量提高至 1.5 焦耳,則其 通過之電流應為多少安培? (A) 7.5 (B) 5.7 (C) 3.9 (D) 2.0
【評論內容】用比ㄉ
【評論主題】29 如圖所示,此電路在穩態時,100 μF 電容器儲存的能量為多少焦耳?(A)1 (B) 0.5 (C) 0.25 (D) 0.125
【評論內容】
VTH=100*[20/(20+20)]=50V
Vc(∞)=VTH=50V
=WC=1/2*CV^2=0.125
【評論主題】13 如圖,若 I1=3 安培,I2=1 安培,試求 R1 為多少歐姆?(A)5 (B) 10 (C) 15 (D) 20
【評論內容】
60=3*10+2*R1 = R1=(60-30)/2=15
【評論主題】20 一電流放大器電路如圖所示,含理想運算放大器,以及電阻R1、R2、RL。令R2=1 kΩ,欲得到電流增益IL/IIN=10,則R1電阻值為何? (A) 100 Ω (B) 900 Ω (C) 9
【評論內容】
IL=10IN
IN=IR1
IR2(向上)=10IN-IN=9IN
V-=0V =IN*R1=9IN*R2
= R1=9IN*1K/IN=9K
【評論主題】7 若一BJT之射極接面為順向偏壓,其集極端為開路致IC =0,則此電晶體工作在那一個工作模式?(A)主動模式(active mode)(B)反向主動模式(reverse active mode)(C
【評論內容】可能是射極順偏+IC=0所以是飽和區吧
【評論主題】27 如圖所示電路,電晶體Q1與Q2有相同特性,若VCC=15 V,VEE=-20 V,電阻R1=R2=6 kΩ,R3=R4=8 kΩ,R5=5 kΩ,當電晶體Q1與Q2皆為導通時,則輸出之電壓Vo約
【評論內容】
Vo=Vcc-Ic1*R1=9.42
【評論主題】28 如圖電路所示,則下列關於電容器 C 之敘述,何者正確? (A)流經電容器之電流為(20-10√3)A(B)電容器產生虛功率為 800 乏(C)電容抗值為 10 Ω(D)電容值為 0.1 F
【評論內容】
電流是電流
Bc是1/Xc
【評論主題】23 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點(Operating Point)閘源極電壓 VGS為-2.6 V,汲極電流 ID為 2.6 mA,IDSS為 8 mA,夾止電壓(Pinc
【評論內容】
Zi=∞//680k=680k
【評論主題】20 如圖所示共射極放大器(CE)(偏壓電路略去未繪),其電壓增益 Av≡vo / vi大致可表為: (A)-gmRC(B)-gm(RC+rπ )(C)-RC/(RE+re)(D)-Rsig/RE
【評論內容】
偏壓電路略去未繪=Rs不計
r(pi)=β*re
【評論主題】27 如圖所示電路,電晶體Q1與Q2有相同特性,若VCC=15 V,VEE=-20 V,電阻R1=R2=6 kΩ,R3=R4=8 kΩ,R5=5 kΩ,當電晶體Q1與Q2皆為導通時,則輸出之電壓Vo約
【評論內容】
Vo=Vcc-Ic1*R1=9.42
【評論主題】28 如圖電路所示,則下列關於電容器 C 之敘述,何者正確? (A)流經電容器之電流為(20-10√3)A(B)電容器產生虛功率為 800 乏(C)電容抗值為 10 Ω(D)電容值為 0.1 F
【評論內容】
電流是電流
Bc是1/Xc
【評論主題】23 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點(Operating Point)閘源極電壓 VGS為-2.6 V,汲極電流 ID為 2.6 mA,IDSS為 8 mA,夾止電壓(Pinc
【評論內容】
Zi=∞//680k=680k
【評論主題】20 如圖所示共射極放大器(CE)(偏壓電路略去未繪),其電壓增益 Av≡vo / vi大致可表為: (A)-gmRC(B)-gm(RC+rπ )(C)-RC/(RE+re)(D)-Rsig/RE
【評論內容】
偏壓電路略去未繪=Rs不計
r(pi)=β*re
【評論主題】40 如圖所示為韋恩電橋振盪器(Wien-Bridge oscillator),已知 R = 10 kΩ 和 C = 16 nF,試求振盪頻率fo 約為多少? (A)1 kHz(B)2 kHz (C
【評論內容】
歐咩嘎= 1/RC
f = 0.16*歐咩嘎 ; 1/(2*3.14)=0.16
【評論主題】38 如圖所示為一施密特(Schmitt)觸發器,OP AMP 輸出的上下限為 ± 12 V。若要使輸出由負轉正時,vi 應到達何值? (A)-10 V (B)-2 V (C)2 V (D)10 V
【評論內容】
Vi=2*(-12)/12=-2
【評論主題】34 如圖一與圖二所示,為由 R1、R2 與理想 OPA 所構成的兩種不同施密特觸發電路,OPA 均採用相同的操作電源電壓,R1= 2 kΩ。若兩電路之輸出電壓 vo 均為正值時,圖一與圖二之 vi
【評論內容】
帶J大的公式或是
(-10R2+VoR1)/(R1+R2)=0
0*R2+VoR1/(R1+R2)=6
【評論主題】34 如圖一與圖二所示,為由 R1、R2 與理想 OPA 所構成的兩種不同施密特觸發電路,OPA 均採用相同的操作電源電壓,R1= 2 kΩ。若兩電路之輸出電壓 vo 均為正值時,圖一與圖二之 vi
【評論內容】
VTL1=-10
VTH2=6
解聯立
【評論主題】30 如圖所示之共閘極放大器,若要使電壓增益提升為原有值的兩倍,下列敘述何者錯誤?(A)將 RL 變成兩倍 (B)將轉導 gm 變成兩倍 (C)將過驅電壓(VGS-VTH)變成 1/2 倍 (D)將
【評論內容】
gm = 2 (K * Id)^0.5 = Av ∝ (Id^0.5) = Av提升兩倍 Id一定要 1/4 或 4 倍
【評論主題】24 如圖所示之放大器電路,電晶體 M 之參數如下:Vth = 0.4 V,μnCox = 200 μA/V2,且 λ = 0,若此放大器電路之小信號電壓增益值為 0.85,則此電晶體 M 之 W/L
【評論內容】
我電腦看是有分段阿
你用什麼看
【評論主題】30.如【圖 30】所示之穩壓電路,稽納二極體最大功率消耗為 200mW,在電路能正常工作下,求 RL 工作範圍為何? (A)250Ω~1KΩ(B) 250Ω~2KΩ(C)333Ω~1KΩ(D) 33
【評論內容】
IZ(max)=200m/10=20mA
IRS=40-10/RS=30mA
IRS=IZ+IRL = IZ(max) = IRL(min) = 30-20=10mA
VZ/ IRL(min) =RL(max) = 1k
40*(RL(min) /RS+RL(min) ) = 10 V
=RL(min) = 1/3 k
【評論主題】25.如【圖 25】所示電路,已知β=200,則此電路電壓增益(AV)為何?(A)4.7 (B) -4.7 (C)-400 (D) -800
【評論內容】AV=-RC/RE
【評論主題】21.有關電源電路中濾波電路,下列敘述何者正確?(A)濾波電路的主要目的為消除漣波,其功能如同一高通濾波電路(B)漣波因數(Ripple Factor,r%)判斷濾波電路好壞的指標,r%愈小漣波成分愈
【評論內容】
r%=[ 1/(2*3^0.5*f*R*C) ] *100%
【評論主題】12 差動式放大器中,共模斥拒比(common-mode rejection ratio)定義為 CMRR ≡| Ad| / |Acm |,其中 Ad 為差動增益、Acm 為共模增益,試問就差動式放大
【評論內容】
理想OPA之CMRR→∞
【評論主題】5 如圖所示一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度,此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為 |Vth| = 0.5 V 。
【評論內容】
Body effect
【評論主題】二、 人面原不如那紙製的面具喲!你看那紅的黑的白的青的喜笑的悲哀的目眥怒得欲裂的面容,無論你怎樣褒獎,怎樣棄嫌,它們一點也不改變。紅的還是紅,白的還是白,目眥欲裂的還是目眥欲裂。人面呢?顏色比那紙製的
【評論內容】原來眼眶有紅的黑的白的青的 哪個^^凸寫的
【評論主題】38 驅動電壓源 vS=4 sin(2×104t+30°) 伏特的 RLC 串聯電路中,當流過 R=1 kΩ 的電流振幅大小為 4 mA時,此電路之諧振頻率 ω0為多少(rad/s)?(A)8 k (
【評論內容】
電流振幅大小為 4 mA = Im = 4mA
【評論主題】32 某位籃球明星樣樣精通,連打掃都比助手還快,但籃球明星寧可請助手打掃,自己專心打球。像這樣人與人之間的適當分工,從事自己較擅長的工作,符合下列何項經濟學原理?①機會成本 ②外部成本 ③比較利益 ④
【評論內容】
比較利益高的機會成本低
比較利益低的機會成本高
【評論主題】8 雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor)若是工作在逆向作用區(reverse active mode),則射-基接面(emitter-base junction)
【評論內容】
逆向作用區是JBE逆、JBC順 ∈ II
【評論主題】31 圖中振盪器,C1=10μF,C2=20μF,L=100nH,R=10kΩ。電晶體的跨導(Transconductance,gm)需約為多少才能維持振盪: (A) 20mA/V (B) 2mA/V
【評論內容】
| AV*(C2/ (C1+C2) ) | = 1
AV=-gm*R
【評論主題】26 如圖的全波整流器電路,各二極體導通之VD=0.7V。若輸入電壓VI之峰對峰(Peak-to-Peak)為 12V之正弦波,則各二極體在逆向偏壓時需承受之峰值電壓為:(一律給分) (A) 12V
【評論內容】
Vpp=12 = Vm=6
【評論主題】26 如圖的全波整流器電路,各二極體導通之VD=0.7V。若輸入電壓VI之峰對峰(Peak-to-Peak)為 12V之正弦波,則各二極體在逆向偏壓時需承受之峰值電壓為:(一律給分) (A) 12V
【評論內容】
第26題一律給分
【評論主題】38 下列有關電力線與磁力線的敘述,何者正確?(A)電力線是封閉的曲線 (B)電力線較密處,其電場強度較弱(C)磁力線不相交 (D)磁力線在磁鐵內,是從 N 極流向 S 極
【評論內容】磁力線才是封閉曲線
【評論主題】33 有一 RL 電路之電阻值為 8 歐姆,使用 60 Hz 電源時之功率因數為 0.8,若改用 80 Hz 電源時之功率 因數為何? (A) 0.6 (B) 0.707 (C) 0.866 (D)
【評論內容】
先算出L
再算出80hz之XL即得P.F
【評論主題】27 某一電感器通過 2 安培電流時,其儲存的能量為 0.4 焦耳。若欲將儲存的能量提高至 1.5 焦耳,則其 通過之電流應為多少安培? (A) 7.5 (B) 5.7 (C) 3.9 (D) 2.0
【評論內容】用比ㄉ
【評論主題】11 某一交流電路的電壓及電流分別為 V=(100+j60)V,I=(40-j30)A,試求此電路之平均功率為幾瓦特?(A) 2200 (B) 2800 (C) 4000 (D) 5800
【評論內容】
S=VI
P=VI*cosθ
(tan^-1(0.6)=30.964°)
P不是有效功率嗎?還是平均功率跟有效功率是一樣的
【評論主題】30 試求電流 Ι ° : (A) 3.07∠ − 46.82°A (B) 15.89∠60°A (C) 85.32∠ − 120°A (D) 45.32∠24.02°A
【評論內容】
這題出3次了
數據差不多
都直接寫答案
【評論主題】12 如圖所示電路,試求可變電阻 RL 可獲得之最大功率為幾瓦特? (A)3 (B)6 (C)9 (D) 12
【評論內容】
VTH=I*RTH=3*4=12
Pmax=12^2/(4*4)=9w
【評論主題】29 如圖所示,此電路在穩態時,100 μF 電容器儲存的能量為多少焦耳?(A)1 (B) 0.5 (C) 0.25 (D) 0.125
【評論內容】
VTH=100*[20/(20+20)]=50V
Vc(∞)=VTH=50V
=WC=1/2*CV^2=0.125
【評論主題】25 自感為 2 × 10-3 亨利的線圈,在 0.01 秒內其電流由 0 線性增加至 10 安培,則線圈兩端的感應電勢為多少伏特? (A)2 (B)4 (C)6 (D)8
【評論內容】
e=L * dI(t)/dt
【評論主題】13 如圖,若 I1=3 安培,I2=1 安培,試求 R1 為多少歐姆?(A)5 (B) 10 (C) 15 (D) 20
【評論內容】
60=3*10+2*R1 = R1=(60-30)/2=15
【評論主題】22 欲在具有電感值為 0.5 亨利的電感器上產生 0.8 韋伯的磁通鏈,則通過此電感器之電流為何?(A) 3.2 安培 (B) 1.6 安培 (C) 1.2 安培 (D) 0.6 安培
【評論內容】
磁通鏈=N*Φ
【評論主題】19 如圖所示,試計算電流 I 為多少安培?(A)1 (B)2 (C)3 (D)4
【評論內容】
I = [ (11/3 - 6/4) * (4//2//3) ] / 2 = 1.996/2 = 0.998
【評論主題】39 圖中RB極大,電晶體操作在主動工作區,RE=1 kΩ,RC B=8 kΩ,β=50,其輸入電阻約為何?(中頻段工作) (A) 102 kΩ (B) 50 kΩ (C) 58 kΩ(D) 8 kΩ
【評論內容】
答案為A或B或C
【評論主題】37 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β(=Ic/Ib)為 120,以及電晶體集極到射極的交流輸出阻抗ro為 60 kΩ,則此放大器的輸出阻抗Zo約為多少? (A) 2.7
【評論內容】
Zo=RC//ro≒RC
【評論主題】40 BJT 電晶體共射極組態的電路中,其輸入信號和輸出信號的相位差為何?(A)相同 (B)相差 45 度 (C)相差 90 度 (D)相差 180 度
【評論內容】
CE(BJT).CS(FET) 180度
其他0度
【評論主題】37 在雙極性接面電晶體所組成的放大器中,為何我們習慣用電流源偏壓而不是用電壓源?(A)節省晶片面積 (B)增加操作速度 (C)偏壓點較穩定 (D)降低功率消耗5 VA CB
【評論內容】
電流源:固定IC
【評論主題】26 圖中增強型N通道MOSFET的Vt=1 V,且工作點為VGS=4 V,ID=2.5 mA,VDS=5 V,則RD及RS分別約為: (A) 2.5 kΩ、1.2 kΩ(B) 2.0 kΩ、0.8
【評論內容】
RD+RS= (10-5)/2.5 =2 = (C)
【評論主題】23 有一橫列位址解碼電路如下圖所示,圖中顯示輸出信號線WN所對應的交換電路陣列(SwitchingArray)的細部電路連線,CLKPVDDCLKPWN-1VDDCLKPWNGNDA2A2 A1 A
【評論內容】
(A2+A1'+A0)' = A2'A1A0'
A2A1A0 = 010
【評論主題】21 如圖所示為兩級串接RC耦合放大器電路,電晶體Q1與Q2之參數為VBE1=VBE2=0.7 V,β1=β2=100,又Vcc=20 V且R1=R5=4 kΩ,R2=R6=1 kΩ,R3=R4=R7
【評論內容】
C通通斷路
IB1=IB2
IE1=IE2
【評論主題】20 一電流放大器電路如圖所示,含理想運算放大器,以及電阻R1、R2、RL。令R2=1 kΩ,欲得到電流增益IL/IIN=10,則R1電阻值為何? (A) 100 Ω (B) 900 Ω (C) 9
【評論內容】
IL=10IN
IN=IR1
IR2(向上)=10IN-IN=9IN
V-=0V =IN*R1=9IN*R2
= R1=9IN*1K/IN=9K
【評論主題】21 一個IDSS=6 mA,Vp=-6 V的JFET,當其工作於VGS=-3 V時,它的互導gm為: (提示:ID=IDSS[ )(A) 0.25 mS (B) 0.5 mS (C) 1 mS (D
【評論內容】
gm=2K(Vgs-Vt)
【評論主題】11 有關蕭特基二極體(Schottky-Barrier Diode)與 PN 接合二極體(PN Junction Diode)工作原理比較的敘述,下列何者正確?(A) PN 接合二極體導通時傳導的載
【評論內容】
REF
【評論主題】18 某低通放大器的頻寬越寬,則其輸入信號為步階輸入(Step Input)時,放大器輸出端暫態響應的上升時間為何? (A)越短 (B)越長 (C)不一定 (D)不變
【評論內容】
18題沒有圖(原題目無圖片)
【評論主題】2 如圖所示電路若為帶通濾波器(Band Pass Filter),則下列那一項R1、R2、C1、C2組合之設計值錯誤? (A)R1=1 kΩ,C1=0.01 μF,R2=2 kΩ,C2=0.1 μF
【評論內容】
C是因為 f1<f2 嗎
【評論主題】2 如圖所示電路若為帶通濾波器(Band Pass Filter),則下列那一項R1、R2、C1、C2組合之設計值錯誤? (A)R1=1 kΩ,C1=0.01 μF,R2=2 kΩ,C2=0.1 μF
【評論內容】
求解
【評論主題】29 某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容 C1 = 2 pF,其電壓增益為 VO / VI = -100 V/V。若輸出端至地之等效電容為 C2,試求 C2 / C1的比值?(A)接近 0(B)接
【評論內容】
c2=c1(1-1/k)=c1(1+1/100)≈c1*1=c1
【評論主題】18 一線圈匝數為 500 匝,通過 4 安培電流,產生 2×10-2韋伯的磁通量,求該線圈所儲存的能量為多少焦耳?(A) 10 (B) 20 (C) 30 (D) 40
【評論內容】
喔!! 沒想到NΦ
我還算出R來-.-
【評論主題】9 有一電熱器之電阻為 50 歐姆,若使用 20 分鐘,產生之熱量為 15000 焦耳,求通過電熱器之電流為多少安培?(A) 0.25 (B) 0.5 (C) 1.02 (D) 2.04
【評論內容】
W=PT
H=0.24W
【評論主題】7 一電池,設 a 表正極端,b 表負極端,則電池內部電流方向應為下列何者?(A) a 到 b (B) b 到 a (C)不一定 (D)不流動
【評論內容】
題目也沒有說這顆電池可不可以充電,請不要自己幫他充