【評論主題】23 將一個電容器連接到一個交流電壓源，此電壓源的電壓 v(t)＝10 sin (377t)伏特。若電容器所儲存的平均電能為 500 微焦耳（μJ），則其電容量為多少微法拉（μF）？(A) 10 (B
【評論內容】
樓上二位的算法都是直流的,我不知道題目本意是不是要考生這樣算.
把平均電能看作單位時間電能的話可以用下面式子去算.
有錯請忽略.
【評論主題】39 有一頻率 60 Hz 正弦電壓其向量式為 100∠-60°伏特，和一阻抗 5 Ω 之純電感元件構成一串聯電路，則其視在功率為何？(A) 500 伏安 (B) 1000 伏安 (C) 1500 伏
【評論內容】
向量式100∠-60°的那個100就是有效值
【評論主題】1 下圖為一個理想積分器電路，假設電容在一開始時無電荷。當一個 +0.25 V 的步級（Step）脈衝接到輸入 vI時，在 t = 1.2 s 時輸出電壓 vO = -5 V，請問電路中 RC 時間常
【評論內容】
Vo=-V*t/RC
-5=-0.25*1.2/RC
RC=0.06(s)
【評論主題】32 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與所有其他電容，假使此電路之功率消耗為 2 mW 且低頻增益值為 2.45，VT = 26 mV，則其 - 3 dB 頻寬為
【評論內容】
題目說"電路"消耗功率,四樓的解答只算到電阻的功率,沒算到電晶體的功率.
至於為什麼算出來還是對的我就不知道了.
【評論主題】32 如圖所示之理想運算放大器電路，其 -3 dB 頻率為何？ (A)65.5 kHz (B)75.5 kHz (C)85.5 kHz (D)95.5 kHz
【評論內容】
這圖畫出來高頻會往上爬,不會往下掉,應該是3dB而不是-3dB.
式子是(1+Ro/Ri)(1+s(Ro//Rc)C). Ro=1k,Ri=5k.
黃底是低頻增益也就是C開路時之增益
隨著頻率越來越高容抗越來越小,流過1k的電流越來越大,增益往上爬.
【評論主題】4 有關多核心技術，下列何者錯誤？(A)可同時執行多個程式（Program），執行前這些程式都必須先被載入到 RAM 記憶體中(B)每個程式可以同時產生多支執行緒（Thread）(C)每一核心可以執行
【評論內容】
隨chip model而異
最常見是每個核心各自擁有獨立L1快取
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【評論主題】1 下圖為一個理想積分器電路，假設電容在一開始時無電荷。當一個 +0.25 V 的步級（Step）脈衝接到輸入 vI時，在 t = 1.2 s 時輸出電壓 vO = -5 V，請問電路中 RC 時間常
【評論內容】
Vo=-V*t/RC
-5=-0.25*1.2/RC
RC=0.06(s)
【評論主題】32 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與所有其他電容，假使此電路之功率消耗為 2 mW 且低頻增益值為 2.45，VT = 26 mV，則其 - 3 dB 頻寬為
【評論內容】
題目說"電路"消耗功率,四樓的解答只算到電阻的功率,沒算到電晶體的功率.
至於為什麼算出來還是對的我就不知道了.
【評論主題】32 如圖所示之理想運算放大器電路，其 -3 dB 頻率為何？ (A)65.5 kHz (B)75.5 kHz (C)85.5 kHz (D)95.5 kHz
【評論內容】
這圖畫出來高頻會往上爬,不會往下掉,應該是3dB而不是-3dB.
式子是(1+Ro/Ri)(1+s(Ro//Rc)C). Ro=1k,Ri=5k.
黃底是低頻增益也就是C開路時之增益
隨著頻率越來越高容抗越來越小,流過1k的電流越來越大,增益往上爬.
【評論主題】4 有關多核心技術，下列何者錯誤？(A)可同時執行多個程式（Program），執行前這些程式都必須先被載入到 RAM 記憶體中(B)每個程式可以同時產生多支執行緒（Thread）(C)每一核心可以執行
【評論內容】
隨chip model而異
最常見是每個核心各自擁有獨立L1快取
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【評論主題】23 將一個電容器連接到一個交流電壓源，此電壓源的電壓 v(t)＝10 sin (377t)伏特。若電容器所儲存的平均電能為 500 微焦耳（μJ），則其電容量為多少微法拉（μF）？(A) 10 (B
【評論內容】
樓上二位的算法都是直流的,我不知道題目本意是不是要考生這樣算.
把平均電能看作單位時間電能的話可以用下面式子去算.
有錯請忽略.
【評論主題】39 有一頻率 60 Hz 正弦電壓其向量式為 100∠-60°伏特，和一阻抗 5 Ω 之純電感元件構成一串聯電路，則其視在功率為何？(A) 500 伏安 (B) 1000 伏安 (C) 1500 伏
【評論內容】
向量式100∠-60°的那個100就是有效值
【評論主題】7 下列為使用雜湊（Hashing）法有關之敘述：①雜湊（Hashing）法之主要應用為資料搜尋（Searching），故搜尋資料效率優於插入（Insertion）與刪除（Deletion）資料之效率
【評論內容】
2沒錯,所以4錯了,需要以鍵值代入雜湊函式計算出在雜湊表中之位置。
【評論主題】18 如圖為共源級放大器（common source amplifier）電路，其飽和區之電流方程式為IDp = KP(VSGP – |VTP|)2，電晶體參數為：KP = 1 mA/V2，VTP =
【評論內容】
Vsg=Vsd-Vgd
又Vgd=0-IdRd+9=9-IdRd
故Vsg=5-(9-IdRd)=IdRd-4
依題意得Id=K(Vsg-2)^2=(Id-6)^2 (Rd=1,K=1)
解Id=(Id-6)^2得Id=4or9(4代入後Vd=4-9=-5,Vs=Vsd-Vd=5-(-5)=109,不合理)
因gm=2sqrt(K*Id)
得gm=6mA/V
Av=-gmRd=-6*1=-6
【評論主題】1 下圖為一個理想積分器電路，假設電容在一開始時無電荷。當一個 +0.25 V 的步級（Step）脈衝接到輸入 vI時，在 t = 1.2 s 時輸出電壓 vO = -5 V，請問電路中 RC 時間常
【評論內容】
Vo=-V*t/RC
-5=-0.25*1.2/RC
RC=0.06(s)
【評論主題】40 分析以下之電路，若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗 ro，試求其輸入端等效之偏移電壓（offset voltage）|Vos| =？ (A)1 m
【評論內容】
直流2mA分到兩路各1mA
在vi(小訊號)為0的情況下會產生10.1k*1m-9.9*1m=0.2V的不理想輸出
此時就要在輸入加上一"差額"抵補訊號抵銷0.2V,達成輸入=0時輸出=0此較理想狀態.
以全電路法分析差額放大倍率|Ad|=(10.1+9.9)/(2/gm)=10V/V.
輸入差額抵補訊號=0.2/10=0.02V.
【評論主題】32 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與所有其他電容，假使此電路之功率消耗為 2 mW 且低頻增益值為 2.45，VT = 26 mV，則其 - 3 dB 頻寬為
【評論內容】
題目說"電路"消耗功率,四樓的解答只算到電阻的功率,沒算到電晶體的功率.
至於為什麼算出來還是對的我就不知道了.
【評論主題】32 如圖所示之理想運算放大器電路，其 -3 dB 頻率為何？ (A)65.5 kHz (B)75.5 kHz (C)85.5 kHz (D)95.5 kHz
【評論內容】
這圖畫出來高頻會往上爬,不會往下掉,應該是3dB而不是-3dB.
式子是(1+Ro/Ri)(1+s(Ro//Rc)C). Ro=1k,Ri=5k.
黃底是低頻增益也就是C開路時之增益
隨著頻率越來越高容抗越來越小,流過1k的電流越來越大,增益往上爬.
【評論主題】22 圖示電路中場效電晶體 FET 之 VT = -0.5 V、μpCox(W/L) = 2 mA/V2，欲此電晶體工作在飽和區（SaturationRegion），電壓 vG應如何？ (A)0.5
【評論內容】
Vs是3,有箭頭才是源極.
【評論主題】16 下圖為理想二極體的截波電路，其輸入波形被截波後的輸出電壓為何？ (一律給分) (A)3 V(B)4 V(C)5 V(D)6 V
【評論內容】
沒給輸入沒辦法算輸出,唯一可知輸入大於三之後vi-vo斜率改變.
【評論主題】4 有關多核心技術，下列何者錯誤？(A)可同時執行多個程式（Program），執行前這些程式都必須先被載入到 RAM 記憶體中(B)每個程式可以同時產生多支執行緒（Thread）(C)每一核心可以執行
【評論內容】
隨chip model而異
最常見是每個核心各自擁有獨立L1快取
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