【評論主題】38.電阻R1與電容C1串聯電路,此電路時間常數為50ms,電容C1為20μF,則電阻R1為何?(A)20kΩ(B)2.5kΩ(C)50Ω (D)2.5 Ω
【評論內容】50m=R1*20uF .....觀看★★★★,...
【評論主題】36.某電感器的線圈匝數為50匝,其電感值為5mH,電感器的磁路結構及材質為固定,且不考慮磁飽和現象,若線圈的匝數更新為100匝,則更新後的電感值為何?(A)20mH(B)10mH(C)2.5mH(D
【評論內容】L/5=(100/50).....看完整...
【評論主題】35.如圖(二十四)所示,若a、b兩端的總電容值為40μF,則下列敘述何者正確? (A)C1=100μF、C2=10μF、C3=10μF(B)C1=80μF、C2= 20 μF、 C3 = 20 μ
【評論內容】(A) Cab=16.667uF(B) ☆☆☆=26.6........
【評論主題】22.如圖(十五)所示之理想運算放大器電路,若電路工作於線性放大區且電壓增益Vo/Vi為−10,輸入電阻Ri為10kΩ,則電阻R1及R2應為何? (A)R1=20kΩ、R2=200kΩ (B) R1
【評論內容】Ri=10kΩ =>R1=10kΩ-☆........
【評論主題】17.如圖(十)所示電路,MOSFET之臨界電壓VT=2V,參數K=1.2mA/V2,則電壓 約為何?(A)4.6V (B) 5.8 V(C) 6.3 V (D) 7.2 V
【評論內容】VGS=12*0.5M/(1M+0.5☆)=4☆☆☆=1.2☆*...
【評論主題】16.某N通道增強型MOSFET之臨界電壓(thresholdvoltage)VT=2V,當工作於飽和區且閘-源極間電壓 =4V時,汲極電流為4mA;若 =5V,則汲極電流為何?(A)11mA (B)
【評論內容】4mA=K×(4-2)2 K=1m........
【評論主題】10.若BJT共射極組態電路工作於主動區,其直流偏壓基極電流為10μA,集極電流為1mA,且熱電壓VT=26mV,則BJT之射極交流電阻re約為何?(A)64.8Ω(B)52.2Ω(C)25.7Ω (
【評論內容】re=26m/1m+0......看完整...
【評論主題】9.如圖(六)所示電路,BJT之β=50,切入電壓 =10.7V、RC=1kΩ,若 =5.7V,則RB應為何? (A)51kΩ(B) 102 k Ω(C) 153 k Ω(D) 204 k Ω
【評論內容】IE=10.7-5.7/1K=5mAIB=5☆/1+50=5☆/...
【評論主題】7.如圖(五)所示電路,BJT之切入電壓 =10.2V、Vi=5.7V、RB=10kΩ、RC=1kΩ,則電流IC 為何? (A) 0 mA (B) 0.5 mA(C) 5 mA(D) 10 mA
【評論內容】Ic =VCC -VCE /RC =&a☆☆;☆........
【評論主題】4.如圖(三)所示電路,已知輸入電壓信號vi及輸出電壓信號vo,以及電阻R1=R2=8kΩ,若考慮二極體的障壁電壓為0.7V,且忽略順向電阻,則電路中的電壓V1及V2分別為何? (A) V1 = 5
【評論內容】V1+0.7=5 =>V1=4.3☆-(........
【評論主題】3.如圖(二)所示電路,已知稽納二極體之崩潰電壓VZ=5V、最大崩潰電流 =9mA,若電路維持在正常穩壓狀態,則限流電阻R1最小值為何? (A)200Ω(B)300Ω(C)400Ω(D) 500 Ω
【評論內容】9m=10-5/R1min -5/5........
【評論主題】2.矽二極體的溫度在25°C時其障壁電壓VD為0.7V,且溫度每上升1°C,障壁電壓下降2.5mV,當VD為0.55V時,矽二極體溫度為何?(A)85°C (B) 60 °C (C) − 45 °C
【評論內容】0.55V=550mV;0.7V=700☆☆550☆........
【評論主題】1.如圖(一)所示之電壓信號,頻率為50Hz,T為週期,脈波寬度為8ms,則此信號的平均值為何?(A)10V(B)5V(C) 4 V(D) 2 V
【評論內容】T=1/50=20msVavg........