【評論主題】38.電阻R1與電容C1串聯電路，此電路時間常數為50ms，電容C1為20μF，則電阻R1為何？(A)20kΩ(B)2.5kΩ(C)50Ω (D)2.5 Ω

【評論內容】50m=R1*20uF  .....觀看★★★★，...

【評論主題】36.某電感器的線圈匝數為50匝，其電感值為5mH，電感器的磁路結構及材質為固定，且不考慮磁飽和現象，若線圈的匝數更新為100匝，則更新後的電感值為何？(A)20mH(B)10mH(C)2.5mH(D

【評論內容】L/5=(100/50).....看完整...

【評論主題】35.如圖(二十四)所示，若a、b兩端的總電容值為40μF，則下列敘述何者正確？ (A)C1=100μF、C2=10μF、C3=10μF(B)C1=80μF、C2= 20 μF、 C3 = 20 μ

【評論內容】(A) Cab=16.667uF(B) ☆☆☆=26.6........

【評論主題】22.如圖(十五)所示之理想運算放大器電路，若電路工作於線性放大區且電壓增益Vo/Vi為−10，輸入電阻Ri為10kΩ，則電阻R1及R2應為何？ (A)R1=20kΩ、R2=200kΩ (B) R1

【評論內容】Ri=10kΩ  =>R1=10kΩ-☆........

【評論主題】17.如圖(十)所示電路，MOSFET之臨界電壓VT=2V，參數K=1.2mA/V2，則電壓 約為何？(A)4.6V  (B) 5.8 V(C) 6.3 V (D) 7.2 V

【評論內容】VGS=12*0.5M/(1M+0.5☆)=4☆☆☆=1.2☆*...

【評論主題】16.某N通道增強型MOSFET之臨界電壓(thresholdvoltage)VT=2V，當工作於飽和區且閘-源極間電壓 =4V時，汲極電流為4mA；若 =5V，則汲極電流為何？(A)11mA (B)

【評論內容】4mA＝K×（4－2)2  K＝1m........

【評論主題】10.若BJT共射極組態電路工作於主動區，其直流偏壓基極電流為10μA，集極電流為1mA，且熱電壓VT=26mV，則BJT之射極交流電阻re約為何？(A)64.8Ω(B)52.2Ω(C)25.7Ω (

【評論內容】re＝26m/1m+0......看完整...

【評論主題】9.如圖(六)所示電路，BJT之β=50，切入電壓 =10.7V、RC=1kΩ，若 =5.7V，則RB應為何？ (A)51kΩ(B) 102 k Ω(C) 153 k Ω(D) 204 k Ω

【評論內容】IE＝10.7-5.7/1K=5mAIB＝5☆/1+50=5☆/...

【評論主題】7.如圖(五)所示電路，BJT之切入電壓 =10.2V、Vi=5.7V、RB=10kΩ、RC=1kΩ，則電流IC 為何？ (A) 0 mA (B) 0.5 mA(C) 5 mA(D) 10 mA

【評論內容】Ic =VCC -VCE /RC =&a☆☆;☆........

【評論主題】4.如圖(三)所示電路，已知輸入電壓信號vi及輸出電壓信號vo，以及電阻R1=R2＝8kΩ，若考慮二極體的障壁電壓為0.7V，且忽略順向電阻，則電路中的電壓V1及V2分別為何？ (A) V1 = 5

【評論內容】V1+0.7=5  =>V1=4.3☆-(........

【評論主題】3.如圖(二)所示電路，已知稽納二極體之崩潰電壓VZ=5V、最大崩潰電流 =9mA，若電路維持在正常穩壓狀態，則限流電阻R1最小值為何？ (A)200Ω(B)300Ω(C)400Ω(D) 500 Ω

【評論內容】9m＝10-5/R1min -5/5........

【評論主題】2.矽二極體的溫度在25°C時其障壁電壓VD為0.7V，且溫度每上升1°C，障壁電壓下降2.5mV，當VD為0.55V時，矽二極體溫度為何？(A)85°C (B) 60 °C (C) − 45 °C

【評論內容】0.55V=550mV;0.7V=700☆☆550☆........

【評論主題】1.如圖(一)所示之電壓信號，頻率為50Hz，T為週期，脈波寬度為8ms，則此信號的平均值為何？(A)10V(B)5V(C) 4 V(D) 2 V

【評論內容】T=1/50=20msVavg........