【評論主題】16. 下列何者不會產生分解爆炸？(A)乙烯(C2H4) (B)聯氨(N2H4) (C)一氧化氮(NO) (D)乙烷(C2H6)
【評論內容】這題可以直接用鍵能的方向去看，要有雙鍵、三鍵(鍵能高，易反應)才容易分解產生爆炸，只有烷類是全部單鍵，故選D。
【評論主題】18. 下列何者不屬於蒸氣爆炸？(A)鍋爐破裂 (B)瓦斯槽受熱產生 BLEVE (C)重油槽火災產生沸溢 (D)煉鋼廠水蒸氣爆炸
【評論內容】BLEVE 現象( Boiling Liquid Expanding Vapor Explosion)是指沸騰狀態之液化瓦斯，氣化膨脹而爆炸之現象。就是蒸氣爆炸，這什麼答案?
【評論主題】17. 有關可燃氣體爆炸與粉塵爆炸影響因素之比較，下列敘述，何者為錯誤？(A)可燃氣體爆炸最小發火能量較小 (B)粉塵爆炸壓力、溫度上升速度較慢(C)粉塵爆炸火焰傳播速度與可燃氣體爆炸相同 (D)浮游
【評論內容】
這題D不對吧，浮游粉塵較易爆炸啊，比表面積較高，有空氣隔著熱傳導度也較低，怎麼會發火溫度較高?
【評論主題】28 在高純度矽中，摻雜少量的下列何者元素，不會形成 n 型半導體？(A)硼（原子序 5） (B)氮（原子序 7） (C)磷（原子序 15） (D)砷（原子序 33）
【評論內容】半導體摻雜Doping分為N type與P type N type為3A族元素P type為5A族元素兩者合在一起可做成pn junctionpn junction是電子技術中許多元件，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
【評論主題】28 在高純度矽中，摻雜少量的下列何者元素，不會形成 n 型半導體？(A)硼（原子序 5） (B)氮（原子序 7） (C)磷（原子序 15） (D)砷（原子序 33）
【評論內容】半導體摻雜Doping分為N type與P type N type為3A族元素P type為5A族元素兩者合在一起可做成pn junctionpn junction是電子技術中許多元件，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
【評論主題】16. 下列何者不會產生分解爆炸？(A)乙烯(C2H4) (B)聯氨(N2H4) (C)一氧化氮(NO) (D)乙烷(C2H6)
【評論內容】這題可以直接用鍵能的方向去看，要有雙鍵、三鍵(鍵能高，易反應)才容易分解產生爆炸，只有烷類是全部單鍵，故選D。
【評論主題】18. 下列何者不屬於蒸氣爆炸？(A)鍋爐破裂 (B)瓦斯槽受熱產生 BLEVE (C)重油槽火災產生沸溢 (D)煉鋼廠水蒸氣爆炸
【評論內容】BLEVE 現象( Boiling Liquid Expanding Vapor Explosion)是指沸騰狀態之液化瓦斯，氣化膨脹而爆炸之現象。就是蒸氣爆炸，這什麼答案?
【評論主題】17. 有關可燃氣體爆炸與粉塵爆炸影響因素之比較，下列敘述，何者為錯誤？(A)可燃氣體爆炸最小發火能量較小 (B)粉塵爆炸壓力、溫度上升速度較慢(C)粉塵爆炸火焰傳播速度與可燃氣體爆炸相同 (D)浮游
【評論內容】
這題D不對吧，浮游粉塵較易爆炸啊，比表面積較高，有空氣隔著熱傳導度也較低，怎麼會發火溫度較高?
【評論主題】28 在高純度矽中，摻雜少量的下列何者元素，不會形成 n 型半導體？(A)硼（原子序 5） (B)氮（原子序 7） (C)磷（原子序 15） (D)砷（原子序 33）
【評論內容】半導體摻雜Doping分為N type與P type N type為3A族元素P type為5A族元素兩者合在一起可做成pn junctionpn junction是電子技術中許多元件，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
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【評論內容】半導體摻雜Doping分為N type與P type N type為3A族元素P type為5A族元素兩者合在一起可做成pn junctionpn junction是電子技術中許多元件，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
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【評論內容】半導體摻雜Doping分為N type與P type N type為3A族元素P type為5A族元素兩者合在一起可做成pn junctionpn junction是電子技術中許多元件，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
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【評論內容】半導體摻雜Doping分為N type與P type N type為3A族元素P type為5A族元素兩者合在一起可做成pn junctionpn junction是電子技術中許多元件，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
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【評論內容】半導體摻雜Doping分為N type與P type N type為3A族元素P type為5A族元素兩者合在一起可做成pn junctionpn junction是電子技術中許多元件，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
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【評論內容】半導體摻雜Doping分為N type與P type N type為3A族元素P type為5A族元素兩者合在一起可做成pn junctionpn junction是電子技術中許多元件，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。