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60.相較於 BJT 之特性,下列何者非 FET 之優點?(A)負溫度特性 (B)操作速度較快 (C)高輸入阻抗 (D)製造密度高
問題詳情
60.相較於 BJT 之特性,下列何者非 FET 之優點?
(A)負溫度特性
(B)操作速度較快
(C)高輸入阻抗
(D)製造密度高
參考答案
答案:B
難度:
計算中
-1
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59. JFET 之工作原理為何?(A)控制通道之導電係數 (B)控制通道空乏區之厚度(寬度)(C)控制通道接面之電流 (D)控制通道中的載子濃度
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45.某負載的電流為 Imsin(ωt),當 時的瞬間電流值為 30mA,則該負載電流的有效值為何?(A)30 mA (B)42.43 mA (C)9.55 mA (D)13.50 mA
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46.某電阻的電阻值為 22kΩ±5%,則其色碼標示為何?(A)黃黃橙金(B)黃黃橙銀(C)紅紅橙金 (D)紅紅橙銀
47.某一 300/5A 貫穿式比流器附裝安培計用以量測線路電流,若安培計讀值為 3 安培,則實際線路電流為何?(A)0.05 安培 (B)5 安培 (C)180 安培 (D)10800 安培
48.若一個正弦波在 4μ s 完成 8 個週期,則下列何者正確?(A)週期 T:2μ s(B)頻率 f:2 kHz(C)角速度 ω:6.28 M rad/sec (D)0.1 μ s 的角位移為 1
49.某電路擬裝置可承受 2 安培電流的 100Ω 電阻,則選用電阻之瓦特數至少需大於多少才適當?(A)200 瓦 (B)400 瓦 (C)600 瓦 (D)800 瓦
50.【圖 50】電路中,通過 R1的電流為 I1,R4 兩端點的電壓為 V4,請問 I1, V4各為何? (A)I1=3A、V4=9V (B)I1=3A、V4=6V(C)I1=2A、V4=9V (D
36.矽半導體本質(Intrinsic)濃度 原子/cm3,在密度為 原子/cm3中,每 108個矽原子加入一個硼原子,則電子濃度應為多少電子/cm3?(A) (B) (C) (D)
51.有一個變壓器,其一、二次側匝數比為 2:1,一次側線圈接上 220 V,則二次側的電壓為:(A)440 (B)220 (C)110 (D)55
53.下列何者是造成電氣設備漏電的原因?(A)用電量太大(B)導線規格太細(C)電氣設備受潮或絕緣破損 (D)未接地
54.某電阻與電感元件並聯後的功率因數為 k,試問將此兩元件串聯則其功率因數為何?(A)k (B) (C)(D)
37.一半波整流電路,若輸入交流電壓為 110 伏特有效值,RL的阻值為 4kO,求直流輸出電壓 約為多少伏特?(A)35(B)49.5(C) 60.5 (D)70
38.設計一具濾波電容 C 與負載 RL之全波整流電路,其輸入信號為 Vi=120sin(2πx60t),要求漣波電壓 Vr 為 2 V,若 RL=10kO,則濾波電容 C 至少應為多少?(A)50
39.某差動放大器的 CMRR 為 100dB,Ad為 100,當共模輸入電壓為 10mV 時,其輸出電壓為何?(A)1 mV(B)100 µV(C) 10 µV (D)1 µV
40.三個MOS 元件 A、B、C, 其閘極寬度(W)與長度(L)分別為 W/L=1µm/10µm, W/L=1µm/20µm, W/L=2µm/10µm,其餘條件都相同,在相同操作電壓且處於飽和區內
55.某電路電流為 I=20+j40 安培 、電壓為 V=100+j50 伏特,則下列數值何者正確?(A)功率 P = 2000 W(B)虛功率 Q = -5000VAR(C)視在功率 S = 500
41.設計一具有交換電壓為 電源電壓一半之 CMOS 反相器,假設 NMOS 與 PMOS 之臨界電壓 且具有相同通道長度,而其移動率(mobility) ,則 PMOS 與 NMOS 電晶體寬度的
56.某可調變阻抗之元件與阻抗 4+j3(Ω)串聯後由電源 16∠0°V 供電,當該元件阻抗設定為 ZL 時可使元件獲得最大功率為 ,則 ZL與 為何?(A)ZL=4-j3Ω, =16 W (B)ZL
57.一般導線的電阻與下列何者成反比?(A)導線長度(B)導線的電阻係數(C)導線周圍溫度 (D)導線截面積
58.帶電量為 Q1、Q2 的兩電荷放置於空氣中,當電荷間的距離為 4 公尺,則電荷間作用力為 4 牛頓。如帶電量為2Q1 與 Q2 的兩電荷在空氣中距離為 8 公尺時,其電荷間作用力為何?(A)1
59.某鐵心繞 100 匝線圈時電感值為 L1,繞 200 匝線圈時電感值為 L2,則 L2 為 L1 的幾倍?(A)0.25 倍 (B)0.5 倍 (C)2 倍 (D)4 倍
60.某電阻溫度係數為 0.003 的合金導線在溫度 20°C 時電阻值為 10Ω,則 40°C 時其電阻為何?(A)10.6 Ω(B)10 Ω (C)9.8 Ω (D)9.4 Ω
42.如【圖 42】所示電路中,欲使 IZ = 5mA,則 R 值應為若干? (A)500 O(B) 1 kO(C) 1.5 kO(D)2 kO
43.在擴大機特性測試中,以 60Hz 正弦波通過一待測之擴大機,得一輸出波形 e(t)=sin377t+0.4sin754t+0.3sin1131t,則此擴大機之總諧波失真百分率為若干?(A)50%
44. P 通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 = 3V,且閘極電壓為 6V、源極電壓為 5V 以及汲極電壓為 0V,則其工作於何種模式?(A)崩潰模式 (B)夾止飽和區模式(C)歐姆區模式 (D
45.若 N 通道空乏型 MOSFET 工作於夾止飽和區,閘源極間電壓為 -2V,夾止電壓為 -5V,飽和電流 ,則汲極電流約為何?(A)5 mA (B)3.5 mA (C) 2.25 mA (D)
2.一般而言,冷卻水的溫度上升,對冰水主機效率的影響是:(A)負載高的時候,效率減少;負載低的時候,效率增加(B)減少(C)沒有影響(D)增加