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• 45.某負載的電流為 Imsin(ωt)，當 時的瞬間電流值為 30mA，則該負載電流的有效值為何？(A)30 mA (B)42.43 mA (C)9.55 mA (D)13.50 mA
• 46.某電阻的電阻值為 22kΩ±5%，則其色碼標示為何？(A)黃黃橙金(B)黃黃橙銀(C)紅紅橙金 (D)紅紅橙銀
• 47.某一 300/5A 貫穿式比流器附裝安培計用以量測線路電流，若安培計讀值為 3 安培，則實際線路電流為何？(A)0.05 安培 (B)5 安培 (C)180 安培 (D)10800 安培
• 48.若一個正弦波在 4μ s 完成 8 個週期，則下列何者正確？(A)週期 T：2μ s(B)頻率 f：2 kHz(C)角速度 ω：6.28 M rad/sec (D)0.1 μ s 的角位移為 1
• 49.某電路擬裝置可承受 2 安培電流的 100Ω 電阻，則選用電阻之瓦特數至少需大於多少才適當？(A)200 瓦 (B)400 瓦 (C)600 瓦 (D)800 瓦
• 50.【圖 50】電路中，通過 R1的電流為 I1，R4 兩端點的電壓為 V4，請問 I1, V4各為何？ (A)I1=3A、V4=9V (B)I1=3A、V4=6V(C)I1=2A、V4=9V (D
• 36.矽半導體本質(Intrinsic)濃度 原子／cm3，在密度為 原子／cm3中，每 108個矽原子加入一個硼原子，則電子濃度應為多少電子／cm3？(A) (B) (C) (D)
• 51.有一個變壓器，其一、二次側匝數比為 2:1，一次側線圈接上 220 V，則二次側的電壓為：(A)440 (B)220 (C)110 (D)55
• 53.下列何者是造成電氣設備漏電的原因？(A)用電量太大(B)導線規格太細(C)電氣設備受潮或絕緣破損 (D)未接地
• 54.某電阻與電感元件並聯後的功率因數為 k，試問將此兩元件串聯則其功率因數為何？(A)k (B) (C)(D)
• 37.一半波整流電路，若輸入交流電壓為 110 伏特有效值，RL的阻值為 4kO，求直流輸出電壓 約為多少伏特？(A)35(B)49.5(C) 60.5 (D)70
• 38.設計一具濾波電容 C 與負載 RL之全波整流電路，其輸入信號為 Vi=120sin(2πx60t)，要求漣波電壓 Vr 為 2 V，若 RL=10kO，則濾波電容 C 至少應為多少？(A)50
• 39.某差動放大器的 CMRR 為 100dB，Ad為 100，當共模輸入電壓為 10mV 時，其輸出電壓為何？(A)1 mV(B)100 µV(C) 10 µV (D)1 µV
• 40.三個MOS 元件 A、B、C， 其閘極寬度(W)與長度(L)分別為 W/L=1µm/10µm, W/L=1µm/20µm, W/L=2µm/10µm,其餘條件都相同，在相同操作電壓且處於飽和區內
• 55.某電路電流為 I=20+j40 安培 、電壓為 V=100+j50 伏特，則下列數值何者正確？(A)功率 P = 2000 W(B)虛功率 Q = -5000VAR(C)視在功率 S = 500
• 41.設計一具有交換電壓為 電源電壓一半之 CMOS 反相器，假設 NMOS 與 PMOS 之臨界電壓 且具有相同通道長度，而其移動率(mobility) ，則 PMOS 與 NMOS 電晶體寬度的
• 56.某可調變阻抗之元件與阻抗 4+j3(Ω)串聯後由電源 16∠0°V 供電，當該元件阻抗設定為 ZL 時可使元件獲得最大功率為 ，則 ZL與 為何？(A)ZL=4-j3Ω， =16 W (B)ZL
• 57.一般導線的電阻與下列何者成反比？(A)導線長度(B)導線的電阻係數(C)導線周圍溫度 (D)導線截面積
• 58.帶電量為 Q1、Q2 的兩電荷放置於空氣中，當電荷間的距離為 4 公尺，則電荷間作用力為 4 牛頓。如帶電量為2Q1 與 Q2 的兩電荷在空氣中距離為 8 公尺時，其電荷間作用力為何？(A)1
• 59.某鐵心繞 100 匝線圈時電感值為 L1，繞 200 匝線圈時電感值為 L2，則 L2 為 L1 的幾倍？(A)0.25 倍 (B)0.5 倍 (C)2 倍 (D)4 倍
• 60.某電阻溫度係數為 0.003 的合金導線在溫度 20°C 時電阻值為 10Ω，則 40°C 時其電阻為何？(A)10.6 Ω(B)10 Ω (C)9.8 Ω (D)9.4 Ω
• 42.如【圖 42】所示電路中，欲使 IZ = 5mA，則 R 值應為若干？ (A)500 O(B) 1 kO(C) 1.5 kO(D)2 kO
• 43.在擴大機特性測試中，以 60Hz 正弦波通過一待測之擴大機，得一輸出波形 e(t)=sin377t+0.4sin754t+0.3sin1131t，則此擴大機之總諧波失真百分率為若干？(A)50%
• 44. P 通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 = 3V，且閘極電壓為 6V、源極電壓為 5V 以及汲極電壓為 0V，則其工作於何種模式？(A)崩潰模式 (B)夾止飽和區模式(C)歐姆區模式 (D
• 45.若 N 通道空乏型 MOSFET 工作於夾止飽和區，閘源極間電壓為 -2V，夾止電壓為 -5V，飽和電流 ，則汲極電流約為何？(A)5 mA (B)3.5 mA (C) 2.25 mA (D)