問題詳情

10 下圖所示為一個n通道增強型（Enhancement Mode）MOSFET共源極電路，其參數值為：VDD＝5 V，ID＝0.1 mA，R1＝30 kΩ，R2＝20 kΩ，RD＝20 kΩ，VTn（臨限電壓）＝1.5 V，此電晶體被偏壓在下列何種工作區？ 


(A)截止區
(B)飽和區
(C)三極區（Triode Region）
(D)次臨限區（Sub-threshold Region）

參考答案

答案：B
難度：簡單0.708861
統計：A(8),B(56),C(8),D(0),E(0)

用户評論

【V字白喵(107鐵特上榜-】評論

VGS=5【20/(20+30)】=2VVTnVGD=VGS-VDS=2-3=-1V<VTnVGSVTn，VGD<VTn，此時工作於夾止飽和區。※VDS=5-0.1*20=5-2=3V