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• 【題組】⑵ CD 切斷後之瞬間。 （10 分）
• 【題組】(22)
• 【題組】(13)
• 【題組】⑷請列出乾式蝕刻優於濕式蝕刻的優點，至少列出四項。（10 分）
• 【題組】(23)
• 【題組】(14)
• 【題組】⑵請寫出 pn 二極體中的接面定律（Law of the Junction）方程式，並說明其物理意義。（10 分）
• 10.下列有關t分配敘述，何者不正確？(A)期望值為0(B)偏態係數為0 (C)峰態係數為3(D)t分配較常態分配曲線平坦，即t分配曲線的高度較低。
• 【題組】(24)
• 【題組】(15)
• 二、【題組】⑴關於 npn 雙極性電晶體，若基極（Base）區使用漸進式（Graded）濃度的結構，請說明它可以提供的優點。（10 分）
• 6 設矩陣 ，則A3-2A2-A 為何？(A) 0 (B) 2A (C)3A (D)− 3A
• 【題組】(25)
• 【題組】(16)
• 【題組】⑵高電子遷移率電晶體（High-Electron-Mobility Transistor, HEMT）為常用於高頻通訊的元件之一，因為這種元件具有可以在低溫時降低雜質散射（Impurity S
• ⑵某渦輪扇發動機（turbofan engine）在海平面靜力試驗之推力為 10,000 N，燃料流量率為 6,000 kg/hr，若核心空氣（core flow）流率為 100 kg/s，旁通比（b
• 11•有四组數字 Gl=(5,5，5,5,5)、G2=(7，6,5,6，7)、G3=(9，7，5，7，9)、G4=(3,4,5，4,3)，哪一組資料的標 準差最大？(A) G1(B) G2(C) G3
• 【題組】(26)
• 【題組】(17)
• 三、【題組】⑴為什麼在金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道所計算的載子遷移率和一般半導體材料（semiconductor material）量測的載子遷移率是不同的？請說明原因。（10 分）
• 二、為了降低飛機降落距離（landing distance），可以採用推力反向器（thrust reverser）之設計。某渦輪扇發動機（turbofan engine）裝設推力反向器（thrust
• 12•如果一個統計量的期望值等於被估計的母數，則稱該統計量具有下列哪一種性質？(A)不偏性(B)有效性(C) 一致性(D)充分性
• 【題組】(27)
• 【題組】⑵請說明什麼是鰭式場效電晶體（Fin Field-Effect Transistor, FinFET），它有什麼優點？（10 分）
• 三、若進氣道之入口面積為 5.0 m2，進氣之馬赫數為 M1＝0.7，發動機飛行高度為1,000 m，飛行馬赫數為 M0＝0.3，請計算進氣之 additive drag。（20 分）註：(A/A*)