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46. 一個圖(Graph)有 V 個節點(Vertices)和 E 個邊(Edges),若以相鄰矩陣(Adjacencymatrix)來表示這圖,請問這相鄰矩陣有幾個元素?(A) V2(B) V *
問題詳情
46. 一個圖(Graph)有 V 個節點(Vertices)和 E 個邊(Edges),若以相鄰矩陣(Adjacencymatrix)來表示這圖,請問這相鄰矩陣有幾個元素?
(A) V2
(B) V * E
(C) E2
(D) V + E
參考答案
答案:B
難度:
簡單
0.65
書單:
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45. 一個具有 6 個頂點(Vertices)的無向完整圖(Undirected complete graph),應有多少個邊(Edges)?(A) 32 個(B) 30 個(C) 15 個(D)
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47. 若我們的資料尚未收集完成,可能陸陸續續有資料進來,這種情況下適合哪種排序法?(A) Quick sort(B) Merge sort(C) Insertion sort(D) Selectio
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49. 下列哪一種排序法所需的儲存空間最多?(A) Bubble sort(B) Insertion sort(C) Quick sort(D) Selection sort
50. 在 ISO 制定的 OSI 模型中,下列哪一層負責建立與切斷連線?(A) 會議層(Session layer)(B) 傳輸層(Transport layer)(C) 資料鏈結層(Data li
1.「廣義失業率」較「失業率」多納入了非勞動力之中的部份人口。有關廣義失業,包括下列何者?(甲)怯志工作者(乙)非典型就業(丙)失業人口(丁)臨時工、派遣工(A)甲丙 (B)甲乙 (C)乙丙 (D)乙
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4. 理想狀況下,FET 等效電路包含下列何者?(A)電流源與電阻串聯 (B)汲極與源極端間的電阻 (C)閘極與源極端間的電流源(D)汲極與源極端間的電流源。
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6. 下列哪個電子元件可以用於構建放大器?(A)雙極型電晶體 (B)場效應電晶體 (C)電感 (D)電容器。
7. 在一個半導體材料中,空穴的電子運動是什麼?(A)從N型材料向P型材料移動 (B)從P型材料向N型材料移動 (C)在P型材料內移動(D)在N型材料內移動。
8. BJT電晶體放大電路中,具有高輸入阻抗、低輸出阻抗,適合作為阻抗匹配用的是哪一種?(A)共射極 (B)共集極 (C)共基極 (D)共陽極。
9. 以MOSFET組成邏輯閘之特性,以下敘述何者錯誤?(A)以MOSFET取代BJT組成邏輯閘,可提高IC填裝之密度 (B)以MOSFET組成邏輯閘較BJT組成的速度慢 (C)以MOSFET組成邏輯
10. 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)的特性及應用,以下哪點敘述是錯的?(A)為電壓控制元件 (B)作為放大電路時,通常工作於三極體區 (C)n通道MOSFET的導電載子為電子 (D)適用於超大
11. 下列哪個是可變多工器?(A)2:1多工器 (B)4:1多工器 (C)8:1多工器 (D)16:1多工器。
12. 有一個三輸入 AND 閘,每個輸入都可以是高電位(1)或低電位(0)。你需要使用這個AND 閘來實現一個三輸入 OR 閘,每個輸入也都可以是高電位或低電位。請問以下哪個是正確的實現方式?(A)
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15. 假設你需要設計一個基礎電路,該電路可以控制一個電動馬達的轉動方向。請問以下哪個選項是正確的電路設計?(A)使用一個單極性電容和一個三極型電晶體 (B)使用一個雙極性電容和一個三極型電晶體 (C
16. 下列哪種觸發器可以用來實現一個 2 位移位暫存器?(A)D 觸發器 (B)JK 觸發器 (C)T 觸發器 (D)SR 觸發器。
17. 數字編碼方式中加三碼有以下哪種特性?(A)又稱為 8421 碼 (B)具有反射性 (C)每一組數碼至少都包含一個 1 (D)加三碼是加權碼。
18. 非同步計數器的缺點,以下哪個正確?(A)使用正反器的數量要比同步計數器多 (B)適合使用高頻率的時脈 (C)電路結構簡單 (D)傳遞延遲時間長。
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3. 下列是四幅臺灣某縣級行政區域簡圖,從圖幅判斷,下列何者的比例尺標示正確?(A) (B) (C) (D)