問題詳情
【題組】23 承上題，若R1 = 40 kΩ，且電晶體參數：Kn = 0.25 mA/V2，VTN = 2 V，λ= 0。飽和區之電流方程式為IDn = Kn(VGSN – VTN)2，則偏壓電流IQ之大小最接近那一個數值？
(A) 0.1 mA
(B) 0.2 mA
(C) 0.3 mA
(D) 0.4 mA
參考答案
答案：D
難度：適中0.45
統計：A(1),B(9),C(1),D(9),E(0)
用户評論
【用戶】kai
【年級】大一上
【評論內容】ID=K(Vds-Vt)^2 , ID=K(10-ID*10k+10-Vt)^2