問題詳情

42.如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT，下列敘述何者正確？
(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)
(B)降低源極(Source)區域的濃度(ND)
(C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)
(D)降低閘極(Gate)區域的

：矽氧化層的

矽氧化層厚度)

參考答案

答案：A
難度：困難0.222222
統計：A(2),B(4),C(1),D(2),E(0)