11. 下列對於半導體之敘述，何者錯誤？ (A)當加順向偏壓於 PN 接面時，空乏區外存在擴散電容 (B)當加小於崩潰電壓之逆向偏壓於 PN 接面時，仍有少數載子流動，此為逆向飽和電流 (C)當加逆

問題詳情

11. 下列對於半導體之敘述，何者錯誤？
(A)當加順向偏壓於 PN 接面時，空乏區外存在擴散電容
(B)當加小於崩潰電壓之逆向偏壓於 PN 接面
時，仍有少數載子流動，此為逆向飽和電流
(C)當加逆向偏壓於 PN 接面時，空乏區會變窄
(D)在本質半
導體中摻雜五價元素，可形成 N 型半導體。

參考答案

答案：C

統計：A:0,B:0,C:0,D:0,E:0

難度：計算中

上一篇 : 10. 假設 LC 並聯電路的諧振頻率為 fo，電源頻率為 f，則下列敘述何者正確？ (A)f＜fo時，電路為電容性 (B)f＞fo時，電源供給之電流超前電壓 90° (C)電感納隨電源頻率增加而增
下一篇 : 12. 如下圖所示電路，已知三個矽質二極體的皆為 0.6V，則 I 約為多少？ (A)3mA (B)2.4mA (C)1mA (D)2mA。